半導体記憶回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-221618
公開番号（公開出願番号）：特開平11-066875
出願日： 1997年08月18日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：

【要約】【課題】セルの能力や周囲温度や電源電圧に拘らずデータ読み出しの遅延時間を最小とし、読み出し速度の高速化を可能とする。【解決手段】前記セルアレイのセンスアンプから最も遠い位置のセルと同様に配線され、予め“0”と“1”の期待値を設定されたスピードリファレンスセルと、スピードリファレンスセルから“0”と“1”の期待値が読み出されたとき、前記出力バッファからのデータの出力を許可する信号を生成する出力許可回路とを有する。このようにスピードリファレンスセルから期待値が読み出されて、セルアレイのセンスアンプから最も遠いセルから正確なデータが読み出されるタイミングで出力バッファからのデータ出力が許可されるため、セルの能力や周囲温度や電源電圧に拘らず正確なデータの読み出しが可能となり、読み出しの遅延時間を過大にする必要がなく、読み出し速度の高速化が可能となる。

請求項（抜粋）：

不揮発性メモリのセルアレイからセンスアンプにより読み出したデータを出力バッファを介して出力する半導体記憶回路において、前記セルアレイのセンスアンプから最も遠い位置のセルと同様に配線され、予め“0”と“1”の期待値を設定されたスピードリファレンスセルと、前記スピードリファレンスセルから“0”と“1”の期待値が読み出されたとき、前記出力バッファからのデータの出力を許可する信号を生成する出力許可回路とを有することを特徴とする半導体記憶回路。

IPC (2件)：

G11C 16/06 , G11C 16/02

FI (2件)：

G11C 17/00 634 C , G11C 17/00 601 T

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-170615 出願人：松下電子工業株式会社
半導体メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-221717 出願人：セイコー電子工業株式会社
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-326976 出願人：富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社

全件表示

前のページに戻る