半導体記憶装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-102409
公開番号（公開出願番号）：特開平11-297958
出願日： 1998年04月14日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：

【要約】【課題】強誘電体容量膜を備え、信頼性の高い,アクセス時間の短い半導体記憶装置を提供する。【解決手段】シリコン基板1上には、ソース領域2とドレイン領域3と絶縁ゲート部4とを有するメモリーセルのトランスファーゲートが形成されている。第1の保護絶縁膜6の上には、下部電極9と、容量膜10と、上部電極11とが順次形成されている。上部電極11はストレージノード7を介してソース領域2に、下部電極9は信号配線13にそれぞれ接続されている。容量膜10の有効領域Refの一部の上のみ上部電極11が形成されているので、容量膜10に印加される電界成分は垂直方向だけでなく斜め方向にも分布している。c軸方向[001]の斜め方向に電界が加えられる割合が多くなり、容量膜全体の自発分極量が増大するとともに、各グレインの分極量が均一化されて動作速度も高くなる。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、上記半導体基板上に形成され、ソース領域・ドレイン領域およびゲート電極を有するパストランジスタと、上記ゲート電極に連続するワード線と、上記ドレイン領域に接続されるビット線と、上記ビット線に接続される第1の電極と、上記第1の電極に接して形成され、少なくとも一部に有効領域を有する絶縁性金属酸化物からなる容量膜と、上記容量膜を挟んで上記第1の電極に対向する第2の電極とを備えるとともに、上記第1及び第2の電極のうち少なくともいずれか一方の電極は、上記容量膜の上記有効領域よりも小さい面積を有し、かつ上記一方の電極は上記容量膜の上記有効領域のいずれかの端部側にオフセットされていることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (6件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/115 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 27/10 651 , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

引用特許：

出願人引用 (4件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-155920 出願人：松下電子工業株式会社
強誘電体コンデンサ及びその形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-099773 出願人：ラムトロン・インターナショナル・コーポレーション
強誘電体デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-054007 出願人：オリンパス光学工業株式会社

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審査官引用 (4件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-155920 出願人：松下電子工業株式会社
強誘電体コンデンサ及びその形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-099773 出願人：ラムトロン・インターナショナル・コーポレーション
強誘電体デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-054007 出願人：オリンパス光学工業株式会社

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