特許
J-GLOBAL ID：200903005386972475
露光装置及び薄膜トランジスタの形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
斎藤 栄一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-352008
公開番号（公開出願番号）：特開平9-321315
出願日： 1996年12月11日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、絶縁基板移動手段が備えられた露光装置及びこれを用いた薄膜トランジスタの形成方法を提供する。【解決手段】 ゲート電極と、ゲート電極を保護するためのゲート絶縁膜が備えられた絶縁基板上部に半導体層を形成し、ゲート絶縁膜及び第1半導体層上部にエッチストッパー用絶縁層を形成し結果物上部にフォトレジスト膜を塗布して、基板を水平に移動しながら、フォトレジスト膜を線光源によって、裏面露光して、フォトレジスト膜の選択された部分を露光させ、露光された部分を現像して、フォトレジストパターンを形成して、フォトレジストパターンをマスクとして用いて、絶縁層をエッチングすることによって、エッチストッパーを形成した後、エッチストッパーを形成、フォトレジストパターンを除去する。
請求項（抜粋）：
ゲート電極と、ゲート電極を保護するためのゲート絶縁膜が備えられた絶縁基板を供給する過程と、前記絶縁基板上部に半導体層を形成する過程と、前記ゲート絶縁膜及び第1半導体上部にエッチストッパー用絶縁層を形成する過程と、前記エッチストッパー用絶縁層上部にフォトレジスト膜を塗布する過程と、前記絶縁基板を水平に移動させて、前記フォトレジスト膜を線光源によって、裏面露光し、フォトレジスト膜の選択された部分を露光させる過程と、前記露光された部分を現像して、フォトレジストパターンを形成する過程と、前記フォトレジストパターンをマスクに用いて、エッチストッパー用絶縁層をエッチングすることによって、エッチストッパーを形成する過程と、前記フォトレジストパターンを除去する過程とを含むことを特徴とする薄膜トランジスタの形成方法。
IPC (3件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 21/027
H01L 29/78 616 N
, H01L 21/30 503 A
, H01L 29/78 619 A
