特許
J-GLOBAL ID：200903005401778222
半導体装置の製造方法及び製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
石田 敬
, 鶴田 準一
, 西山 雅也
, 樋口 外治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-156092
公開番号（公開出願番号）：特開2005-317987
出願日： 2005年05月27日
公開日（公表日）： 2005年11月10日
要約：
【課題】 半導体素子を配線基板にフェイスダウンにてマウントすることができ、且つ接続部の信頼性向上及び半導体素子の交換の容易化を図り得る、改良された半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】 半導体素子の電極の上に金バンプ要素を取り付け、非活性ガスを用いて酸素濃度10000ppm以下の雰囲気中で該金バンプ要素の上にはんだ要素を溶融転写し、はんだ要素を溶融転写する前に、アルコール、ケトン、エステル、エーテル及びその混合物の少なくとも一つを転写用フラックス剤として用いるように構成する。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
半導体素子の電極の上に金バンプ要素を取り付け、非活性ガスを用いて酸素濃度10000ppm以下の雰囲気中で該金バンプ要素の上にはんだ要素を溶融転写し、はんだ要素を溶融転写する前に、アルコール、ケトン、エステル、エーテル及びその混合物の少なくとも一つを転写用フラックス剤として用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (3件)：
H01L21/92 602D
, H01L21/92 604Z
, H01L21/92 604D
