特許
J-GLOBAL ID：200903005418258060
抵抗変化メモリ装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
土井 健二
, 林 恒徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-137751
公開番号（公開出願番号）：特開2008-294201
出願日： 2007年05月24日
公開日（公表日）： 2008年12月04日
要約：
【課題】 抵抗変化素子の一方の電極が遷移金属によって構成された抵抗変化メモリ装置(ReRAM)の製造時間の短縮化、遷移金属電極の加工精度の向上、及び当該抵抗変化素子の電流-電圧特性の劣化防止である。 【解決手段】 第1の電極と、遷移金属からなる第2の電極と、第1の電極と第2の電極の間に配置された前記遷移金属の酸化物からなる抵抗変化素子を具備し、前記抵抗変化素子の可逆的且つ不揮発性の抵抗変化を利用する抵抗変化メモリ装置の製造方法において、前記第1の電極4と、前記第1の電極の上に積層された前記酸化物8からなる積層体16を、下地62の上に形成する第1の工程と、前記酸化物8を還元して前記第2の電極6を形成する第2の工程を具備すること。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
第1の電極と、
遷移金属からなる第2の電極と、
第1の電極と第2の電極の間に配置された、前記遷移金属の酸化物からなる抵抗変化素子を具備し、
前記抵抗変化素子の可逆的且つ不揮発性の抵抗変化を利用する抵抗変化メモリ装置の製造方法において、
前記第1の電極と、前記第1の電極の上に積層された前記酸化物からなる積層体を、下地の上に形成する第1の工程と、
前記酸化物を還元して前記第2の電極を形成する第2の工程を具備することを特徴とする抵抗変化メモリ装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 27/10
, H01L 45/00
, H01L 49/00
H01L27/10 451
, H01L45/00 Z
, H01L49/00 Z
5F083FZ10
, 5F083GA27
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA60
, 5F083MA06
, 5F083MA16
, 5F083MA19
, 5F083NA01
, 5F083PR40
