特許
J-GLOBAL ID：200903072556489790
可変抵抗素子の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
政木 良文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-170690
公開番号（公開出願番号）：特開2006-344875
出願日： 2005年06月10日
公開日（公表日）： 2006年12月21日
要約：
【課題】 第1電極と第2電極の間に可変抵抗体を設けてなり、両電極間に電圧パルスを印加することにより電気抵抗が変化する可変抵抗素子を抵抗性不揮発性メモリに適用する場合、従来の製造方法では低くなりすぎた可変抵抗素子の抵抗値を、スイッチング比を減退させることなく所望の抵抗値に制御する製造方法を提供する。【解決手段】 可変抵抗体材料を成膜した以降の工程ステップのどこかに、可変抵抗体に対する還元処理工程を設けたので、従来の製造方法では低すぎた可変抵抗素子の抵抗値を上昇させることが可能となった。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
第1電極と第2電極の間に可変抵抗体を設けてなり、前記第1電極と前記第2電極間に電圧パルスを印加することにより、前記第1電極と前記第2電極間の電気抵抗が変化する可変抵抗素子の製造方法において、
前記可変抵抗体に対する還元処理工程を有することを特徴とする可変抵抗素子の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (16件)：
5F083FZ10
, 5F083GA27
, 5F083JA14
, 5F083JA15
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA43
, 5F083JA45
, 5F083JA60
, 5F083MA05
, 5F083MA06
, 5F083MA19
, 5F083PR34
出願人引用 (1件)
審査官引用 (8件)
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