特許
J-GLOBAL ID：200903005476784287

有機薄膜トランジスタ及びその製造方法と有機薄膜トランジスタを備えた有機電界発光表示装置

発明者：
安 澤

安 澤 について

, 
徐 ▲ミン▼徹

徐 ▲ミン▼徹 について

, 
牟 然坤

牟 然坤 について


出願人/特許権者：
三星エスディアイ株式会社

三星エスディアイ株式会社 について


代理人 (3件)： 渡邊 隆 ,  志賀 正武 ,  村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-141932
公開番号（公開出願番号）：特開2006-332661
出願日： 2006年05月22日
公開日（公表日）： 2006年12月07日
要約：
【課題】有機半導体層の表面損傷を防止し、オフ電流を低減させることができる有機薄膜トランジスタ及びその製造方法と有機薄膜トランジスタを備えた平板表示装置とを提供する。【解決手段】基板と、基板上に形成されたソース及びドレイン電極と、ソース及びドレイン電極とコンタクトされるように形成され、チャネル層を備えた半導体層と、半導体層上に形成された保護膜と、基板上に形成されたゲートと、ゲートとソース/ドレイン電極との間に形成されたゲート絶縁膜と、半導体層と保護膜とにかけて形成されて、半導体層のチャネル層に対応する部分を画定する分離パターンと、を備える薄膜トランジスタ。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
基板と、 基板上に形成されたソース及びドレイン電極と、 前記ソース及びドレイン電極とコンタクトされるように形成され、チャネル層を備えた半導体層と、 前記半導体層上に形成され、前記半導体層と同じパターンを持ち、レーザー吸収の可能な保護膜と、 基板上に形成されたゲートと、 前記ゲートとソース/ドレイン電極との間に形成されたゲート絶縁膜と、 前記半導体層と前記保護膜とにかけて形成されて、前記半導体層のチャネル層に対応する部分を画定する分離パターンと、を備える薄膜トランジスタ。
IPC (4件)：
H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/40 ,  H01L 21/336
FI (5件)：
H01L29/78 617U ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 310K ,  H01L29/78 627C
Fターム (15件)：
5F004BB03 ,  5F004DB19 ,  5F004DB23 ,  5F004EB08 ,  5F110AA06 ,  5F110BB01 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110GG05 ,  5F110NN71
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 韓国特許出願公開2004-0028010号明細書
  • 韓国特許出願公開2004-0084427号明細書
  • 薄膜トランジスタ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-285513   出願人：日本電気株式会社
審査官引用 (3件)

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