高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小島隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-269745
公開番号（公開出願番号）：特開2002-161116
出願日： 2001年09月06日
公開日（公表日）： 2002年06月04日
要約：

【要約】【解決手段】下記一般式(1-1)又は(1-2)で示される繰り返し単位を含有することを特徴とする重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物。【化1】(式中、kは0又は1である。mは0、1、2、3又は4である。nは1又は2である。)【効果】本発明の高分子化合物をベース樹脂としたレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、感度、解像性、エッチング耐性に優れているため、電子線や遠紫外線による微細加工に有用である。特にArFエキシマレーザー、KrFエキシマレーザーの露光波長での吸収が小さいため、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成することができるという特徴を有する。

請求項（抜粋）：

下記一般式(1-1)又は(1-2)で示される繰り返し単位を含有することを特徴とする重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物。【化1】(式中、kは0又は1である。mは0、1、2、3又は4である。nは1又は2である。)

IPC (4件)：

C08F 32/00 , C08G 61/08 , G03F 7/039 601 , H01L 21/027

FI (4件)：

C08F 32/00 , C08G 61/08 , G03F 7/039 601 , H01L 21/30 502 R

Fターム (54件)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA09 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB08 , 2H025CB10 , 2H025CB41 , 2H025CB55 , 2H025CB56 , 2H025FA17 , 4J032BA07 , 4J032BB06 , 4J032BC01 , 4J032BC03 , 4J032CA36 , 4J032CA46 , 4J032CB01 , 4J032CB04 , 4J032CB05 , 4J032CB12 , 4J032CD00 , 4J032CD09 , 4J032CE03 , 4J032CG06 , 4J100AK32R , 4J100AL08Q , 4J100AR09P , 4J100AR09Q , 4J100AR11P , 4J100AR11Q , 4J100BA05Q , 4J100BA06Q , 4J100BA10Q , 4J100BA11P , 4J100BA15Q , 4J100BC03Q , 4J100BC04Q , 4J100BC08Q , 4J100BC09Q , 4J100BC22Q , 4J100BC53P , 4J100BC53Q , 4J100CA01 , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100DA01 , 4J100JA38

引用特許：

審査官引用 (5件)

ラクトン部分を有する環式オレフィン・ポリマを有するフォトレジスト組成
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-130763 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
ポリマーおよびフォトレジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-050207 出願人：シップレーカンパニーエルエルシー
新規モノマー、ポリマー、それらの合成方法及びフォトレジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-050311 出願人：シップレーカンパニーエルエルシー

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