特許

J-GLOBAL ID：200903056665178995

レーザ照射方法並びに半導体装置の作製方法

発明者： 河崎 律子 ,  中嶋 節男
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-360383
公開番号（公開出願番号）：特開2002-261013
出願日： 2001年11月27日
公開日（公表日）： 2002年09月13日
要約：

【要約】【課題】 大粒径の結晶粒または位置と大きさを制御した結晶粒を有する結晶質半導体膜を形成してTFTを作製することにより、高速動作の可能な半導体装置を実現することを目的とする。【解決手段】半導体膜が形成された基板(半導体膜基板)の裏面側に反射体を設置する。半導体膜基板を透過するレーザビームを半導体膜基板の表面側から照射すると、反射体によって反射され前記半導体膜を裏面側からも照射する。そのため、前記半導体膜における冷却速度を緩やかにして大粒径の結晶粒を形成する。また、反射体として部分的に反射層が形成された基板を用い、半導体膜基板の表面側からレーザビームを照射すれば、前記半導体膜を裏面側からは部分的に照射されるので、ラテラル成長の発生場所と方向の制御が可能となり、大粒径の結晶粒を形成することができる。

請求項（抜粋）：

被照射体が形成されている基板の表面側から第1のレーザビームを照射し、前記基板の裏面側から第2のレーザビームを照射するレーザ照射方法であって、前記第2のレーザビームは、前記第1のレーザビームの一部が前記被照射体および前記基板を透過して 、反射体によって反射されたレーザビームであることを特徴とするレーザ照射方法。

IPC (5件)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786

FI (4件)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 29/78 627 G

Fターム (105件)：

2H092MA30 ,  2H092MA35 ,  5C094AA07 ,  5C094AA08 ,  5C094AA13 ,  5C094AA25 ,  5C094AA43 ,  5C094AA44 ,  5C094AA53 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094CA24 ,  5C094DA09 ,  5C094DA13 ,  5C094DB01 ,  5C094DB04 ,  5C094EA04 ,  5C094EB02 ,  5C094ED03 ,  5C094FB14 ,  5C094GB10 ,  5C094JA11 ,  5F052AA02 ,  5F052AA11 ,  5F052AA17 ,  5F052BA01 ,  5F052BA02 ,  5F052BA07 ,  5F052BB01 ,  5F052BB02 ,  5F052BB03 ,  5F052BB07 ,  5F052DA02 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052DB07 ,  5F052FA25 ,  5F052JA01 ,  5F110AA01 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE11 ,  5F110EE23 ,  5F110EE28 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110GG51 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL11 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN05 ,  5F110NN22 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP07 ,  5F110PP23 ,  5F110PP35 ,  5F110PP40 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ24 ,  5F110QQ25

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 特開昭62-007691
  
• ビームホモジナイザーおよびレーザー照射装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-052833   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-305890   出願人：カシオ計算機株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-339571   出願人：シャープ株式会社
• 薄膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-093562   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体薄膜の結晶化方法及びそれを用いた半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-061082   出願人：富士通株式会社