特許
J-GLOBAL ID：200903005578123595
荷電粒子ビーム装置及び印加電圧制御方法
出願人/特許権者：
株式会社日立ハイテクノロジーズ
株式会社日立ハイテクノロジーズ について
代理人 (1件)： 春日 讓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-047659
公開番号（公開出願番号）：特開2008-210702
出願日： 2007年02月27日
公開日（公表日）： 2008年09月11日
要約：
【課題】信号電子の描く軌道が変化した場合の信号電子の検出効率の低下を抑制することができる荷電粒子ビーム装置及び印加電圧制御方法を提供する。【解決手段】試料22を搭載可能な試料台21と、荷電粒子ビーム源から発生した荷電粒子ビームを集束磁界により前記試料台上の試料に集束する電子光学系13と、試料22から発生した信号電子5を検出する信号電子検出器1と、信号電子検出器1に設けられた補助電極2-4と、補助電極2-4のそれぞれに電圧を印加する電極電源46と、予め設定された補助電極2-4への印加電圧、試料台21の傾斜角及び対物レンズ11の集束磁界強度の相関関係を基に、試料台21の傾斜角及び対物レンズ11の集束磁界強度に応じて電極電源46による補助電極2-4への印加電圧を制御する制御装置40とを備える。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
試料を搭載可能な試料台と、
荷電粒子ビーム源から発生した荷電粒子ビームを集束磁界により前記試料台上の試料に集束する電子光学系と、
試料から発生した信号電子を検出する信号電子検出器と、
前記信号電子検出器に設けられた複数の補助電極と、
前記複数の補助電極のそれぞれに電圧を印加する電極電源と、
予め設定された前記補助電極への印加電圧及び荷電粒子ビームの光学条件の相関関係を基に、荷電粒子ビームの光学条件に応じて前記電極電源による前記補助電極への印加電圧を制御する制御装置と
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (3件)：
引用特許：
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