特許

J-GLOBAL ID：200903005661313282

窒化物半導体発光素子およびその製造方法

発明者： 神川 剛 ,  山田 英司 ,  荒木 正浩 ,  金子 佳加
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (2件)： 佐野 静夫 ,  山田 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-183163
公開番号（公開出願番号）：特開2005-064469
出願日： 2004年06月22日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：

【課題】 欠陥密度が低い基板を用いた窒化物半導体レーザ素子であって、窒化物半導体膜に内包される歪みが少なく、長寿命のものを提供する。 【解決手段】 欠陥密度が106cm-2以下と低いGaN基板(10)に、エッチングによってストライプ状の凹部(16)を形成する。その基板(10)上に窒化物半導体膜(11)を成長し、凹部(16)の上方から外れた部位にレーザストライプ(12)を形成する。これにより、レーザストライプ(12)の歪みが解放されて、長寿命の半導体レーザ素子が得られ、窒化物半導体膜(11)のクラックも抑えられて、歩留まりが大きく向上する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

少なくとも表面が窒化物半導体である基板と、基板の前記表面上に積層されストライプ状のレーザ光導波路構造を有する窒化物半導体膜より成る窒化物半導体レーザ素子において、 基板の前記表面が、欠陥密度が106cm-2以下の低欠陥領域と凹部とを有し、 窒化物半導体膜の前記レーザ光導波路構造が、基板の表面の前記凹部から外れた前記低欠陥領域の上方に位置する ことを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

IPC (1件)：

H01S5/343

FI (1件)：

H01S5/343 610

Fターム (10件)：

5F173AA34 ,  5F173AA47 ,  5F173AH22 ,  5F173AH47 ,  5F173AP05 ,  5F173AP07 ,  5F173AP23 ,  5F173AP32 ,  5F173AP33 ,  5F173AR82

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体発光素子の製造方法、半導体素子の製造方法、素子の製造方法、窒化物系III-V族化合物半導体層の成長方法、半導体層の成長方法および層の成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-315704   出願人：住友電気工業株式会社, ソニー株式会社
• 半導体装置、半導体基板とそれらの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-133844   出願人：松下電子工業株式会社
• 窒化物半導体構造とその製法および発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-216110   出願人：シャープ株式会社
• 窒化物半導体レーザ素子とこれを含む光学装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-006745   出願人：シャープ株式会社