特許

J-GLOBAL ID：200903056349994330

窒化物半導体レーザ素子とこれを含む光学装置

発明者： 津田 有三 ,  湯浅 貴之 ,  伊藤 茂稔 ,  種谷 元隆 ,  山崎 幸生
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-006745
公開番号（公開出願番号）：特開2002-217498
出願日： 2001年01月15日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
要約：

【要約】【課題】 窒化物半導体発光素子の発光寿命を改善する。【解決手段】 窒化物半導体発光素子は、窒化物半導体基板の1主面に形成された溝と丘を含む加工基板101と、この加工基板の溝と丘を覆う窒化物半導体下地層102と、この窒化物半導体下地層上でn型層103〜105とp型層107〜110との間において量子井戸層または量子井戸層とこれに接する障壁層を含む発光層106を含む発光素子構造とを含み、溝の幅方向の中央から1μm以上離れかつ丘の幅方向の中央からも1μm以上離れた領域の上方に多層発光構造の電流狭窄部が形成されていることを特徴としている。

請求項（抜粋）：

窒化物半導体基板の一主面上に形成された溝と丘を含む加工基板と、前記加工基板の溝と丘を覆う窒化物半導体下地層と、前記窒化物半導体下地層上でn型層とp型層との間において量子井戸層または量子井戸層とこれに接する障壁層を含む発光層を含む発光素子構造とを含み、前記溝の幅方向の中央から1μm以上離れかつ前記丘の幅方向の中央からも1μm以上離れた領域の上方に前記発光素子構造の電流狭窄部分が形成されていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

IPC (2件)：

H01S 5/343 610 ,  G11B 7/125

FI (2件)：

H01S 5/343 610 ,  G11B 7/125 A

Fターム (25件)：

5D119AA33 ,  5D119BA01 ,  5D119BB01 ,  5D119BB04 ,  5D119FA05 ,  5D119FA17 ,  5F073AA11 ,  5F073AA73 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073BA06 ,  5F073BA07 ,  5F073BA09 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB18 ,  5F073CB19 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA16 ,  5F073DA24 ,  5F073DA32 ,  5F073EA28 ,  5F073FA13 ,  5F073FA15

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 窒化物半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-355187   出願人：日亜化学工業株式会社
• 窒化ガリウム系半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-292684   出願人：株式会社東芝
• 窒化物半導体レ-ザ素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-361742   出願人：日亜化学工業株式会社
• 窒化物系半導体素子、発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-256088   出願人：株式会社東芝

引用文献：

出願人引用 (1件)

• AlGaInN high-power laser grown on an ELO-GaN layer