半導体発光素子の製造方法、半導体素子の製造方法、素子の製造方法、窒化物系III-V族化合物半導体層の成長方法、半導体層の成長方法および層の成長方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：杉浦正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-315704
公開番号（公開出願番号）：特開2003-124573
出願日： 2001年10月12日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：

【要約】【課題】発光特性などの特性が良好で信頼性も高く長寿命の半導体発光素子や特性が良好で信頼性も高く長寿命の半導体素子を実現する。【解決手段】第1の平均転位密度を有する結晶からなる第1の領域A中に第1の平均転位密度より高い第2の平均転位密度を有する複数の第2の領域Bが規則的に配列している窒化物系III-V族化合物半導体基板1の主面上に発光素子構造あるいは素子構造を形成する窒化物系III-V族化合物半導体層を成長させることにより半導体発光素子あるいは半導体素子を製造する際に、窒化物系III-V族化合物半導体層が窒化物系III-V族化合物半導体基板1の主面上で第2の領域Bと直接接触しないようにする。

請求項（抜粋）：

第1の平均転位密度を有する結晶からなる第1の領域中に上記第1の平均転位密度より高い第2の平均転位密度を有する複数の第2の領域が規則的に配列している窒化物系III-V族化合物半導体基板の主面上に発光素子構造を形成する窒化物系III-V族化合物半導体層を成長させることにより半導体発光素子を製造するようにした半導体発光素子の製造方法であって、上記窒化物系III-V族化合物半導体層が上記窒化物系III-V族化合物半導体基板の主面上で上記第2の領域と直接接触しないようにしたことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。

IPC (8件)：

H01S 5/323 610 , H01L 21/205 , H01L 21/3065 , H01L 21/308 , H01L 21/331 , H01L 29/737 , H01L 29/80 , H01L 33/00

FI (7件)：

H01S 5/323 610 , H01L 21/205 , H01L 21/308 C , H01L 33/00 C , H01L 29/72 H , H01L 21/302 C , H01L 29/80 Z

Fターム (57件)：

5F003AZ01 , 5F003BF06 , 5F003BM02 , 5F003BM03 , 5F003BP31 , 5F003BP32 , 5F004AA06 , 5F004BA04 , 5F004DA01 , 5F004DA16 , 5F004DB03 , 5F004DB19 , 5F004EA06 , 5F004EA34 , 5F004EA38 , 5F041AA40 , 5F041CA23 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041CA75 , 5F041CA76 , 5F043AA16 , 5F043BB10 , 5F043FF01 , 5F043GG10 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB32 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045BB12 , 5F045BB16 , 5F045CA12 , 5F045HA03 , 5F045HA04 , 5F073AA13 , 5F073AA45 , 5F073AA74 , 5F073CA07 , 5F073DA05 , 5F073DA22 , 5F073DA24 , 5F073DA32 , 5F073DA34 , 5F073DA35 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ10 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GR01 , 5F102HC01

引用特許：

審査官引用 (11件)

半導体基材及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-335591 出願人：三菱電線工業株式会社
半導体素子用基板およびその製造方法およびその半導体素子用基板を用いた半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-285146 出願人：富士写真フイルム株式会社
半導体素子用基板およびその製造方法およびそれを用いた半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-082287 出願人：富士写真フイルム株式会社

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