特許
J-GLOBAL ID：200903005724965820
化合物半導体気相成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡部 惠行 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-087570
公開番号（公開出願番号）：特開平9-315899
出願日： 1997年03月21日
公開日（公表日）： 1997年12月09日
要約：
【要約】【課題】導電性化合物半導体基板上に、高品質の化合物半導体InGaNエピタキシャル層を成長させる方法の提供。【解決手段】三塩化インジウムを含む第1のガス及びアンモニアの含む第2のガスを、外部から第1の温度に加熱した反応チャンバー56に導入し、キャリアガスN2 (窒素)を用いて基板1上にInNを気相成長させ、バッファ層を形成する。次に、塩化水素およびガリウムを含む第3のガスを、第1のガス及び第2のガスと共に、より高い第2の温度に加熱したチャンバー56に導入し、キャリアガスN2 を用いてバッファ層上にInx Ga1-x N層を気相成長させる。窒素(N2 )に替えてヘリウム(He)をキャリアガスに用いることによって、均一性がさらに良好なInx Ga1-x N層を得ることができる。なお、バッファ層は、InNに替えてGaNにより形成することができる。
請求項（抜粋）：
化合物半導体インジウムガリウム窒素(In<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>N、ただし、0<x<1)の気相成長において、インジウム(In)原料を三塩化インジウム(InCl<SB>3</SB> )とすることを特徴とする化合物半導体気相成長方法。
IPC (5件)：
C30B 29/38
, C30B 25/02
, H01L 21/205
, H01L 33/00
, H01S 3/18
C30B 29/38 D
, C30B 25/02 Z
, H01L 21/205
, H01L 33/00 C
, H01S 3/18
