窒化物半導体の成長方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：鮫島睦 , 田村恭生 , 田村啓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-219841
公開番号（公開出願番号）：特開2008-034862
出願日： 2007年08月27日
公開日（公表日）： 2008年02月14日
要約：

【目的】基板となる窒化物半導体の成長方法と、窒化物半導体基板を有する新規な構造の素子を提供する。【構成】窒化物半導体と異なる材料よりなる異種基板1あるいは異種基板1上に成長された窒化物半導体層2の表面に、第1の保護膜11を部分的に形成し、その保護膜を介して第1の窒化物半導体3を成長させる。第1の窒化物半導体3は保護膜上に最初は選択成長されるが、成長を続けるに従って、保護膜上で隣接する窒化物半導体がつながる。第1の保護膜11上の第1の窒化物半導体3は格子欠陥が少ないので、保護膜を介して窒化物半導体を厚膜で成長させると、非常に結晶性の良い窒化物半導体基板が得られる。窒化物半導体基板を特定膜厚で成長させ、この上に素子構造を形成すると、特性の向上した良好な素子が得られる。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

窒化物半導体と異なる材料よりなる異種基板上に成長された窒化物半導体の上に、第1の保護膜を部分的に形成する第1の工程と、第1の工程後、第1の窒化物半導体を、前記窒化物半導体の上に成長させると共に、第1の保護膜の上にまで成長させる第2の工程とを含むことを特徴とする窒化物半導体の成長方法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 , C30B 29/38 , C30B 25/04 , H01L 33/00 , H01S 5/343

FI (5件)：

H01L21/205 , C30B29/38 D , C30B25/04 , H01L33/00 C , H01S5/343 610

Fターム (39件)：

4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077BE15 , 4G077DB08 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077EE07 , 4G077HA12 , 4G077TB05 , 4G077TC13 , 4G077TC16 , 4G077TC19 , 4G077TK01 , 4G077TK06 , 4G077TK08 , 5F041AA40 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA77 , 5F041CA88 , 5F041CA92 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB18 , 5F045AC07 , 5F045AC12 , 5F045AD09 , 5F045AD14 , 5F045AF09 , 5F045DA53 , 5F045DB01 , 5F045DB04 , 5F173AF28 , 5F173AG20 , 5F173AH22 , 5F173AP05 , 5F173AP33

引用特許：

出願人引用 (2件)

III族窒化物半導体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-354572 出願人：豊田合成株式会社, 赤崎勇, 天野浩
GaN単結晶およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-242967 出願人：三菱電線工業株式会社

審査官引用 (12件)

化合物半導体基板およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-349991 出願人：新日本製鐵株式会社
特開平4-127521
特開平3-133182

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引用文献：

審査官引用 (3件)

J.J.A.P., 1997, V36 N7B, P L899-902
J.J.A.P., 1997, V36 N7B, P L899-902
J.J.A.P., 1997, V36 N7B, P L899-902

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