特許

J-GLOBAL ID：200903005799193954

半導体装置

発明者： 井上 晃 ,  後藤 清毅 ,  金谷 康 ,  渡辺 伸介
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (2件)： 高田 守 ,  高橋 英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-137127
公開番号（公開出願番号）：特開2008-294158
出願日： 2007年05月23日
公開日（公表日）： 2008年12月04日
要約：

【課題】小型軽量かつ低コストであり、過大な電力が印加されても破壊され難い半導体装置を得る。【解決手段】増幅用トランジスタ11のゲート(入力端子)に電流制限回路12が接続されている。電流制限回路12は、保護トランジスタ13と、保護トランジスタ13のドレインとゲートを接続する第1保護抵抗14と、保護トランジスタ13のソースとゲートを接続する第2保護抵抗15とを有する。電流制限回路12は、増幅用トランジスタ11に許容される最大電力より大きい電力が通過しないように電流を制限する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

増幅用トランジスタと、 前記増幅用トランジスタの入力端子に接続された電流制限回路とを備え、 前記電流制限回路は、前記増幅用トランジスタに許容される最大電力より大きい電力が通過しないように電流を制限することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04

FI (2件)：

H01L29/80 P ,  H01L27/04 H

Fターム (20件)：

5F038BH02 ,  5F038BH07 ,  5F038BH11 ,  5F038DF01 ,  5F038EZ01 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ20 ,  5F102FA06 ,  5F102GA01 ,  5F102GA17 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GL04 ,  5F102GM06 ,  5F102GM07 ,  5F102GQ02 ,  5F102GQ03 ,  5F102GR04

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特開平4-31782号公報
  

審査官引用 (8件)

• 半導体集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-046799   出願人：三菱電機株式会社
• 電源保護回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-382296   出願人：株式会社リコー
• 保護回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-293147   出願人：住友電気工業株式会社
• 高効率増幅回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-233010   出願人：日本電気株式会社
• 電力増幅器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-317595   出願人：株式会社東芝
• バイアス回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-241903   出願人：富士通株式会社
• 高周波電力増幅器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-251166   出願人：松下電器産業株式会社
• リミッタ回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-190459   出願人：アイ電子株式会社, エム・アールエフ株式会社