薄膜トランジスタ及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西村征生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-067858
公開番号（公開出願番号）：特開2004-281506
出願日： 2003年03月13日
公開日（公表日）： 2004年10月07日
要約：

【課題】フォトリソグラフィ工程を増加させることなく、水素の拡散距離を短くできる位置に水素供給層を形成する。【解決手段】開示される薄膜トランジスタ10は、ゲート絶縁膜7とゲート電極9との間の位置に、多結晶シリコン薄膜3とゲート絶縁膜7との界面のダングリングボンドに水素を拡散するための水素供給層8が形成されている。この構成により、水素化時の水素の拡散距離が短くなり、熱処理に時間をかけることなく水素化を十分に行うことができるようになる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ソース領域及びドレイン領域が形成された多結晶シリコン薄膜と、該多結晶シリコン薄膜上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極とを備える薄膜トランジスタであって、前記ゲート絶縁膜と前記ゲート電極との間に、前記多結晶シリコン薄膜と前記ゲート絶縁膜との界面に水素を供給するための水素供給層が形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (7件)：

H01L21/336 , H01L21/205 , H01L21/28 , H01L21/322 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786

FI (6件)：

H01L29/78 627E , H01L21/205 , H01L21/28 301D , H01L21/322 Z , H01L29/78 617L , H01L29/58 G

Fターム (57件)：

4M104AA01 , 4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104CC05 , 4M104DD08 , 4M104DD09 , 4M104DD17 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD65 , 4M104DD78 , 4M104FF14 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104GG20 , 4M104HH20 , 5F045AA08 , 5F045AB02 , 5F045AC01 , 5F110AA16 , 5F110AA19 , 5F110BB02 , 5F110BB10 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110EE05 , 5F110EE08 , 5F110EE14 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF02 , 5F110FF32 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG47 , 5F110HJ01 , 5F110HJ12 , 5F110HJ23 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL06 , 5F110HL23 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110PP03 , 5F110QQ04 , 5F110QQ11 , 5F110QQ23 , 5F110QQ25

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平4-058564
特開昭63-054773
薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-143021 出願人：株式会社東芝

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