特許
J-GLOBAL ID：200903006231348216

塗布、現像装置、露光装置及びレジストパターン形成方法。

発明者：
山本 太郎

山本 太郎 について

, 
平河 修

平河 修 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (2件)： 井上 俊夫 ,  水野 洋美
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-264755
公開番号（公開出願番号）：特開2006-080404
出願日： 2004年09月10日
公開日（公表日）： 2006年03月23日
要約：
【課題】 液浸露光後、現像前において、半導体ウエハの周縁部に付着したパーティクルの除去(液浸露光時の液体を弾くために使用された撥水性の保護膜の除去を含む)を簡易な構造で行う塗布、現像装置を提供すること。【解決手段】 塗布、現像装置のインターフェイスステーションに洗浄ユニットを設ける。この洗浄ユニットは、ウエハの周縁部を囲むように形成されたコ字型部によりウエハの周縁部を挟み、このコ字型部に設けられた上側ノズル部及び下側ノズル部から洗浄液をウエハの周縁部に吐出させると共に、前記コ字型部の側面部の吸引口から吸引する。このような構成にすることでウエハに付着したパーティクルを確実に除去する。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
半導体ウエハの表面にレジストを塗布する塗布ユニットと、その表面に液層を形成して液浸露光された後の半導体ウエハに現像液を供給して現像する現像ユニットと、を備えた塗布、現像装置において、 液浸露光された後の半導体ウエハの周縁部を洗浄する洗浄ユニットを備え、 前記洗浄ユニットは、 液浸露光された後の半導体ウエハを水平に保持するウエハ保持部と、 このウエハ保持部を鉛直軸回りに回転させる回転機構と、 前記ウエハ保持部に保持された半導体ウエハの周縁部を囲むように形成されたコ字型部と、 このコ字型部の上面部及び下面部の内側から半導体ウエハの両面周縁部に夫々洗浄液を吐出する上側ノズル部及び下側ノズル部と、 これら上側ノズル部及び下側ノズル部に洗浄液を送る洗浄液供給部と、 前記コ字型部の側面部に設けられ、前記上側ノズル部及び下側ノズル部の各々から吐出された洗浄液を吸引するための吸引口と、 前記コ字型部を半導体ウエハの周縁部を囲む洗浄位置と当該洗浄位置から退避した退避位置との間で移動させる移動機構と、を備えたことを特徴とする塗布、現像装置。
IPC (1件)：
H01L 21/027
FI (1件)：
H01L21/30 568
Fターム (2件)：
5F046DA07 ,  5F046LA18
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (9件)
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