特許
J-GLOBAL ID：200903006235263916

電界効果型トランジスタの製造方法

発明者：
峰地 輝

峰地 輝 について


出願人/特許権者：
NECエレクトロニクス株式会社

NECエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-266387
公開番号（公開出願番号）：特開2006-279013
出願日： 2005年09月14日
公開日（公表日）： 2006年10月12日
要約：
【課題】 電界効果型トランジスタの短チャネル効果を効果的に抑制しつつ、製造安定性を向上させる。【解決手段】 シリコン基板101に、第一導電型の第一不純物と反対導電型のハロー不純物をイオン注入した後、第一導電型の第一不純物をイオン注入し、フラッシュランプアニールを行うことにより、p型ハロー領域113およびn型エクステンション領域111を形成する。その後、第一導電型の第二不純物をシリコン基板101にイオン注入し、フラッシュランプアニールを行うことにより、n型ソース・ドレイン領域109を形成する。その後、スパイクRTA法によりシリコン基板101中の不純物を活性化する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板の素子形成面にゲート電極を形成し、その周囲の前記半導体基板にハロー領域およびエクステンション領域を設ける工程と、 ハロー領域およびエクステンション領域を設ける前記工程の後、前記半導体基板にソース・ドレイン領域を設ける工程と、 ソース・ドレイン領域を設ける前記工程の後、前記半導体基板をスパイクRTA法により加熱することにより、不純物注入領域の不純物を活性化する工程と、 を含み、 ハロー領域およびエクステンション領域を設ける前記工程が、 前記半導体基板に第一導電型の第一不純物をイオン注入する第一イオン注入工程と、 前記第一イオン注入工程の後、前記半導体基板にフラッシュランプアニール処理を施す第一フラッシュランプアニール工程と、 を含み、 ソース・ドレイン領域を設ける前記工程が、 前記第一フラッシュランプアニール工程の後、前記半導体基板に前記第一導電型の第二不純物をイオン注入する第二イオン注入工程と、 前記第二イオン注入工程の後、前記半導体基板にフラッシュランプアニール処理を施す第二フラッシュランプアニール工程と、 を含むことを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 29/78 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/823 ,  H01L 21/265
FI (4件)：
H01L29/78 301S ,  H01L27/08 321A ,  H01L21/265 602B ,  H01L21/265 604G
Fターム (49件)：
5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB12 ,  5F048BC06 ,  5F048BD04 ,  5F048BF06 ,  5F048BF16 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25 ,  5F140AA05 ,  5F140AA21 ,  5F140AA24 ,  5F140AA39 ,  5F140AB03 ,  5F140BA01 ,  5F140BA20 ,  5F140BD09 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG30 ,  5F140BG34 ,  5F140BG38 ,  5F140BG44 ,  5F140BG45 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH14 ,  5F140BH21 ,  5F140BH35 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK02 ,  5F140BK10 ,  5F140BK13 ,  5F140BK20 ,  5F140BK21 ,  5F140BK29 ,  5F140BK34 ,  5F140BK38 ,  5F140BK39 ,  5F140CB01 ,  5F140CB04
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (7件)
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