特許
J-GLOBAL ID：200903006279928001

半導体素子の製造方法

発明者：
大島 正義

大島 正義 について

, 
柏木 幹文

柏木 幹文 について


出願人/特許権者：
日本ゼオン株式会社

日本ゼオン株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-360673
公開番号（公開出願番号）：特開2007-165636
出願日： 2005年12月14日
公開日（公表日）： 2007年06月28日
要約：
【課題】 接着剤などに起因する基板の汚染がなく、かつ基板の割れ、欠けなどによる不良の発生が少ない、歩留まりを高くできる半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】 樹脂フィルムにプラズマ照射またはコロナ放電を行う表面処理工程、半導体形成用基板の一方の面に前記樹脂フィルムの表面処理された面を重ね合わせて圧着する圧着工程、該半導体形成用基板の他方の面に半導体回路を形成する回路形成工程、および半導体形成用基板から前記樹脂フィルムを剥離する剥離工程、により半導体素子を製造する。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
樹脂フィルムにプラズマ照射またはコロナ放電を行う表面処理工程、 半導体形成用基板の一方の面に前記樹脂フィルムの表面処理された面を重ね合わせて圧着する圧着工程、 該半導体形成用基板の他方の面に半導体回路を形成する回路形成工程、および 半導体形成用基板から前記樹脂フィルムを剥離する剥離工程を有する半導体素子の製造方法。
IPC (1件)：
H01L 21/02
FI (1件)：
H01L21/02 C
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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