薄膜作製装置及び方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-178012
公開番号（公開出願番号）：特開2005-015817
出願日： 2003年06月23日
公開日（公表日）： 2005年01月20日
要約：

【課題】エピタキシャル成長の低温化の促進と光劣化の原因となるアモルファス膜中弱結合を低減させ、また、キャリアトラップ準位となる未結合の膜中密度を低減させる。【解決手段】本発明は、相互に接続した2個の超高真空槽と、基板ホルダ11と、薄膜材料を原子ビームとして蒸発させる蒸着装置5と、導入気体を解離し原子ビームとして基板上に照射する気体解離照射装置6と、原子ビームを加速、収束させる網状電極と、基板ホルダ11を保持して、電圧を印加できるホルダ位置調節装置7と、基板ホルダを加熱するための基板ヒータ9と、基板ホルダを製膜装置とロードロックの間で搬送する搬送マニピュレータ4を備えている。蒸着装置5より蒸発した半導体分子ビームと、気体解離照射装置6より射出した原子ビームを、基板上に、同時に照射することによって多種類の半導体薄膜を作製する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

相互に接続した2個の超高真空槽と、基板を保持するための基板ホルダと、薄膜材料を原子ビームとして蒸発させる蒸着装置と、導入気体を解離し原子ビームとして基板上に照射する気体解離照射装置と、原子ビームを加速、かつ、または、収束させるための網状電極と、上記基板ホルダを保持し、かつ、この基板ホルダの位置を調節し、かつ基板ホルダに電圧を印加できる構造を有するホルダ位置調節装置と、基板ホルダを加熱するための基板ヒータと、上記基板ヒータの位置を調節するための基板ヒータ位置調節装置と、上記基板ホルダを上記製膜装置とロードロックの間で搬送する搬送マニピュレータを備え、上記蒸着装置より蒸発した半導体分子ビームと、上記気体解離照射装置より射出した原子ビームを、上記基板上に、同時に照射することによって半導体薄膜を作製することを特徴とする、薄膜作製装置。

IPC (3件)：

C23C14/48 , C23C14/22 , H01L21/203

FI (3件)：

C23C14/48 D , C23C14/22 A , H01L21/203 Z

Fターム (26件)：

4K029BA02 , 4K029BA31 , 4K029BC00 , 4K029CA09 , 4K029CA13 , 4K029DA08 , 4K029DB18 , 4K029DB21 , 4K029DD02 , 4K029DD04 , 4K029DE03 , 4K029DE04 , 4K029JA01 , 4K029KA01 , 5F103AA04 , 5F103BB06 , 5F103BB14 , 5F103BB23 , 5F103BB33 , 5F103BB37 , 5F103DD16 , 5F103GG03 , 5F103HH04 , 5F103LL04 , 5F103RR05 , 5F103RR10

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭61-099670
半導体装置の製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-068962 出願人：松下電器産業株式会社
加熱装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-070024 出願人：シャープ株式会社

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引用文献：

審査官引用 (2件)

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