特許
J-GLOBAL ID：200903006692121736

表面疎水化用組成物、表面疎水化方法、半導体装置およびその製造方法

発明者：
服部 清太郎

服部 清太郎 について

, 
中川 恭志

中川 恭志 について

, 
秋山 将宏

秋山 将宏 について


出願人/特許権者：
JSR株式会社

JSR株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-301075
公開番号（公開出願番号）：特開2006-111741
出願日： 2004年10月15日
公開日（公表日）： 2006年04月27日
要約：
【課題】 半導体装置等の電子デバイスに用いられるエッチング/アッシング後のシロキサン系絶縁層のダメージを修復することを目的とした表面疎水化用組成物、表面疎水化方法、ならびに半導体装置およびその製造方法を得る。【解決手段】 (A)ケイ素原子と炭素原子とが交互に連続してなる主鎖を有するポリカルボシラン化合物と、(B)有機溶媒とを含む表面疎水化用組成物。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
(A)ケイ素原子と炭素原子とが交互に連続してなる主鎖を有し、下記一般式(1)で表される繰り返し構造単位、下記一般式(2)で表される繰り返し構造単位のうち少なくとも1つを含む、ポリカルボシラン化合物と、(B)有機溶媒とを含む表面疎水化用組成物。
IPC (7件)：
C09D 183/16 ,  C08K 5/00 ,  C08L 83/16 ,  C09D 5/25 ,  C09D 7/12 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/306
FI (7件)：
C09D183/16 ,  C08K5/00 ,  C08L83/16 ,  C09D5/25 ,  C09D7/12 ,  H01L21/90 A ,  H01L21/302 105A
Fターム (62件)：
4J002CP011 ,  4J002CP211 ,  4J002EC036 ,  4J002ED026 ,  4J002EE036 ,  4J002EE046 ,  4J002EH036 ,  4J002GH02 ,  4J038DL001 ,  4J038KA04 ,  4J038MA07 ,  4J038NA07 ,  4J038NA21 ,  4J038PB09 ,  4J246AA07 ,  4J246AB01 ,  4J246BB110 ,  4J246BB13X ,  4J246BB130 ,  4J246CA010 ,  4J246CA120 ,  4J246CA14X ,  4J246CA140 ,  4J246CA230 ,  4J246CA24X ,  4J246CA340 ,  4J246CA390 ,  4J246GB04 ,  4J246GC45 ,  4J246GC49 ,  4J246HA23 ,  4J246HA36 ,  5F004AA07 ,  5F004BD01 ,  5F004EB03 ,  5F004FA01 ,  5F004FA08 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP14 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR25 ,  5F033TT03 ,  5F033TT04 ,  5F033TT06 ,  5F033TT07 ,  5F033XX24
引用特許：
出願人引用 (4件)
  • 米国特許第US6383466号明細書
  • 米国特許第US5504042号明細書
  • 米国特許第US6548113号明細書
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審査官引用 (5件)
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