特許
J-GLOBAL ID：200903006814150880

パターン形成方法およびデバイス生産方法

発明者：
加藤 隆志

加藤 隆志 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-279330
公開番号（公開出願番号）：特開平10-125582
出願日： 1996年10月22日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：
【要約】【課題】 レジストに位相シフト用エッジを形成して、位相シフト露光でパターン形成を行なう実用的な手法の提供。【解決手段】 レジストに位相シフト用エッジを形成する工程と、該位相シフトエッジで暗帯を形成する工程と、該暗帯部分を残すように露光されたレジスト像を現像する工程とを有し、前記レジストは感光する波長が異なる複数のレジスト材料を基板上に積層したものである。ここで、前記レジストは2層で構成し、第1レジスト層に位相シフト用エッジを形成し、第2レジスト層を露光する際には第1レジスト層を露光した際の波長とは異なる波長にて露光を行なう。
請求項（抜粋）：
レジストに位相シフト用エッジを形成する工程と、該位相シフトエッジで暗帯を形成する工程と、該暗帯部分を残すように露光されたレジスト像を現像する工程とを有し、前記レジストは感光する波長が異なる複数のレジスト材料を基板上に積層したものであることを特徴とするパターン形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/20 505 ,  G03F 7/20 521
FI (5件)：
H01L 21/30 528 ,  G03F 7/20 505 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 502 A ,  H01L 21/30 573
引用特許：
審査官引用 (4件)
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