特許
J-GLOBAL ID：200903006985254390

窒化物半導体発光素子

発明者：
山田 元量

山田 元量 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-349174
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168384
出願日： 1999年12月08日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：
【要約】【課題】AlGaNからなる窒化物半導体を用いた発光素子に関し、特に、異なる色を発する井戸層を積層し、それらの色を混色して、所望の演色性を有する光を発する発光素子に関する。【解決手段】Inを含む窒化物半導体からなる第1の井戸層を有する第1の発光領域と、該第1の井戸層が発する光の主ピークよりも長い主ピーク波長の光を発する、第2の井戸層を有する第2の発光領域と、該第2の井戸層が発する光の主ピーク波長よりも長い主ピーク波長の光を発する、第3の井戸層を有する第3の発光領域と、を備えた多重量子井戸構造からなる活性層を有する窒化物半導体発光素子において、該活性層はp型窒化物半導体層側から見て、第1、第3、第2の発光領域の順で積層された構成を少なくとも1つ含む。
請求項（抜粋）：
Inを含む窒化物半導体からなる少なくとも1つの第1の井戸層を有する第1の発光領域と、該第1の井戸層が発する光の主ピーク波長よりも長い主ピーク波長の光を発する、Inを含む窒化物半導体から成る少なくとも1つの第2の井戸層を有する第2の発光領域と、該第2の井戸層が発する光の主ピーク波長よりも長い主ピーク波長の光を発する、Inを含む窒化物半導体からなる少なくとも1つの第3の井戸層を有する第3の発光領域と、を備えた多重量子井戸構造から成る活性層を有する窒化物半導体発光素子において、該活性層はp型窒化物半導体層側から見て、第1の発光領域、第3の発光領域、第2の発光領域の順で積層された構成を少なくとも1つ含んでなることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
Fターム (9件)：
5F041AA11 ,  5F041AA12 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CB27 ,  5F041FF11
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (2件)

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