窒化物半導体素子

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：豊栖康弘 , 石井久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-146952
公開番号（公開出願番号）：特開2006-324511
出願日： 2005年05月19日
公開日（公表日）： 2006年11月30日
要約：

【課題】導電性酸化物膜を有する信頼性の高い窒化物半導体素子を提供する。【解決手段】窒化物半導体層を有する窒化物半導体素子であって、窒化物半導体層上に、導電性酸化物膜、パッド電極を順に有し、パッド電極は、導電性酸化物膜に接して第1の金属を含む接合層と第2の金属を含むパッド層とを有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

窒化物半導体層を有する窒化物半導体素子であって、前記窒化物半導体層上に、導電性酸化物膜、パッド電極を順に有し、前記パッド電極は、前記導電性酸化物膜に接して第1の金属を含む接合層と、前記第1の金属とは異なる第2の金属を含むパッド層と、を有することを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (2件)：

H01L33/00 E , H01L33/00 C

Fターム (10件)：

5F041AA03 , 5F041AA43 , 5F041CA05 , 5F041CA12 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA82 , 5F041CA88 , 5F041CA92 , 5F041CA93

引用特許：

出願人引用 (1件)

審査官引用 (4件)

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