特許

J-GLOBAL ID：200903007028128622

化学機械研磨装置

発明者： カール・イー・ボッグス ,  ケネス・エム・デイヴィス ,  ウィリアム・エフ・ランダース ,  マイケル・エフ・ロファロ ,  アダム・ディー・ティックノア ,  ロナルド・ディー・フィージー
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ-ション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-273239
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127025
出願日： 2000年09月08日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：

【要約】【課題】 研磨される半導体ウエハの裏面にわたる圧力分布を制御する化学機械研磨(CMP)制御システムを提供する。【解決手段】 このシステムは、半導体ウエハを支持するキャリア14を有するCMP装置を備える。キャリア14は、複数の二元機能圧電アクチュエータ41,42を有する。アクチュエータ41,42は、半導体ウエハにわたって圧力変化を検出し、個々に制御可能である。制御装置が、アクチュエータ41,42に接続され、検出された圧力変化を監視して、半導体ウエハにわたって制御された圧力分布を与えるように、アクチュエータ41,42を制御する。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハを研磨し、前記ウエハのためのキャリアを有する化学機械研磨装置であって、キャリア・ベースと、前記ベースに取り付けられ、前記ウエハを保持するウエハ保持リングと、前記ウエハ保持リングの周囲内の前記ベースに取り付けられた複数の二元機能圧電アクチュエータとを備え、前記アクチュエータは、前記ウエハにわたる圧力変化を検出し、前記ウエハにわたって制御された圧力分布を与えるように個々に制御可能である、化学機械研磨装置。

IPC (5件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/304 621 ,  B24B 37/00 ,  B24B 37/04

FI (5件)：

H01L 21/304 622 K ,  H01L 21/304 622 R ,  H01L 21/304 621 D ,  B24B 37/00 B ,  B24B 37/04 E

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 研磨装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-061716   出願人：株式会社日立製作所
• 研磨装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-290187   出願人：株式会社東芝
• 半導体基板の研磨装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-272078   出願人：日本電気株式会社
• 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-066720   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (4件)

• 研磨装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-061716   出願人：株式会社日立製作所
• 研磨装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-290187   出願人：株式会社東芝
• 半導体基板の研磨装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-272078   出願人：日本電気株式会社
• 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-066720   出願人：株式会社東芝