特許
J-GLOBAL ID:200903007100996286

半導体装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 根本 恵司 ,  畑川 清泰
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-350972
公開番号(公開出願番号):特開2005-116886
出願日: 2003年10月09日
公開日(公表日): 2005年04月28日
要約:
【課題】半導体装置の製造方法において回路部を支持基板から容易に剥離できるようにする。【解決手段】剥離性のよい材料であるステンレスを用いて形成した支持基板上に固着電極63及び取出し電極64を形成し、前記支持基板上の固着電極63上に導電性物質70で半導体素子65を接続し、前記半導体素子65の電極と前記取出し電極64とをボンディングし、かつこれらを樹脂封止することで半導体装置本体を形成する。次に、前記支持基板を前記固着電極63裏面、取出し電極64、並びに絶縁樹脂の裏面側界面から剥離し前記固着電極63裏面及び取出し電極64の裏面側にめっき膜68を施し、取出し電極64にはバンプ69を形成し、固着電極裏面63は大気に露出させて半導体装置を形成する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
半導体素子と、前記半導体素子と導電性物質で接続された放熱板を兼ねた固着電極及び取出し電極と、前記半導体素子、放熱板を兼ねた固着電極及び取出し電極の表面側は大気に露出しないように被覆すると共に前記放熱板を兼ねた固着電極及び取出し電極の裏面側は大気に露出するように被覆する絶縁樹脂から成り、前記放熱板を兼ねた固着電極は、該固着電極上に半導体素子を配置したときに平面視で該半導体素子の領域外となる放熱領域を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (1件):
H01L23/12
FI (1件):
H01L23/12 501W
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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