特許
J-GLOBAL ID：200903007115090127

カルコパイライト型薄膜太陽電池及びその製造方法

発明者：
青木 誠志

青木 誠志 について

, 
松永 健太郎

松永 健太郎 について


出願人/特許権者：
本田技研工業株式会社

本田技研工業株式会社 について


代理人 (2件)： 北村 欣一 ,  吉岡 正志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-008055
公開番号（公開出願番号）：特開2006-196771
出願日： 2005年01月14日
公開日（公表日）： 2006年07月27日
要約：
【課題】 光電変換効率の向上を実現し得るカルコパイライト型薄膜太陽電池及びその製造方法を提供する。【解決手段】 ソーダライムガラス基板1上に形成されたMo電極層2上に、Cu、In及びGaを含むプリカーサ層4をスパッタリング法により形成するプリカーサ形成工程と、プリカーサ形成が行われた基板1に対して、500°Cより高く、かつ、基板融点より低い温度範囲のH2Seガス雰囲気中で熱処理を行って光吸収層4を形成するセレン化工程と、光吸収層4上に、InAlSを含むn型のバッファ層5を形成するバッファ層形成工程と、バッファ層5上に透明電極層6を形成する透明電極層形成工程と、を行ってカルコパイライト型薄膜太陽電池を得る。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に形成された裏面電極層と、 該電極層上に形成され、少なくともI族、III族及びVI族元素を含むp型の光吸収層と、 該光吸収層上に形成され、InAISを含むn型のバッファ層と、 該バッファ層上に形成された透明電極層と、 を備えることを特徴とするカルコパイライト型薄膜太陽電池。
IPC (2件)：
H01L 31/04 ,  H01L 21/363
FI (2件)：
H01L31/04 E ,  H01L21/363
Fターム (13件)：
5F051AA10 ,  5F051CB24 ,  5F051CB27 ,  5F051CB29 ,  5F051DA07 ,  5F051DA18 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103DD30 ,  5F103LL04 ,  5F103PP03 ,  5F103PP18 ,  5F103RR08
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (5件)
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