化合物薄膜太陽電池およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鳥井清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-129381
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282909
出願日： 2002年03月26日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：

【要約】【目的】バンドギャップが小さくて短波長側の光を透過しにくいInS系材料を用いてバッファ層を形成しても、光の透過率が良く、また光吸収層との密着性および透明電極との整合性が良くなるようにする。【構成】裏面電極上に形成されたp型化合物半導体からなる光吸収層の上にヘテロ接合のためのn型のバッファ層を設けてなる化合物薄膜太陽電池にあって、バッファ層を形成するに際して、CBD法により光吸収層を水溶液に浸して微粒子を堆積させるようにし、その際、特に、水溶液の温度を低から高に変化させながら堆積される微粒子のサイズを小から大に変化させる。

請求項（抜粋）：

裏面電極上に形成されたp型化合物半導体からなる光吸収層の上にヘテロ接合のためのn型のバッファ層を設けてなる化合物薄膜太陽電池の製造方法であって、バッファ層を形成するに際して、CBD法により光吸収層を水溶液に浸して微粒子を堆積させるようにした化合物薄膜太陽電池の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 31/04 , H01L 21/368

FI (2件)：

H01L 21/368 Z , H01L 31/04 E

Fターム (17件)：

5F051AA20 , 5F051BA17 , 5F051CB24 , 5F051CB29 , 5F051DA03 , 5F051FA02 , 5F051FA06 , 5F051FA13 , 5F051FA15 , 5F051GA03 , 5F051HA20 , 5F053AA03 , 5F053AA23 , 5F053FF01 , 5F053HH04 , 5F053JJ03 , 5F053LL05

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体薄膜の製造方法および薄膜太陽電池の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-148230 出願人：松下電器産業株式会社
イオウ化カドミウム膜の生成方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-054604 出願人：株式会社荏原製作所

引用文献：

審査官引用 (5件)

全件表示

前のページに戻る