特許
J-GLOBAL ID:200903035174599568
両面受光太陽電池
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
三品 岩男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-086474
公開番号(公開出願番号):特開2004-296749
出願日: 2003年03月26日
公開日(公表日): 2004年10月21日
要約:
【課題】直列抵抗の増大を抑えて、キャリヤの拡散長を改善して高効率を実現した両面入力型薄膜太陽電池を提供する。【解決手段】透光性基板1、透明導電膜7、光吸収層3、バッファ層4および透明導電膜5を有し、透明導電膜7と光吸収層3との間に、p型半導体、または、透光性の金属薄膜を中間層4として介在させる。p型半導体は、Mo、WおよびCrのいずれか1種のカルコゲナイドにより構成できる。透光性金属薄膜は、Ti、Ta、Ni、Zr、PtおよびAuのうちいずれかにより構成できる。光吸収層3は、XYZ2(X=Cu、Agのうち少なくとも1元素、Y=B、In、Ga、Alのうち少なくとも1元素、Z=S、Se、Teのうち少なくとも1元素)により構成される。【選択図】 図3
請求項(抜粋):
透光性基板、第1の透明導電膜、光吸収層、バッファ層および第2の透明導電膜を有し、
前記第1の透明導電膜と光吸収層との間に、p型半導体を中間層として介在させることを特徴とする両面受光太陽電池。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (6件):
5F051AA10
, 5F051BA13
, 5F051CB15
, 5F051FA04
, 5F051GA03
, 5F051HA20
引用特許:
審査官引用 (8件)
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特開昭62-173765
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電解質組成物、光電変換素子及び光電池
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-263161
出願人:富士写真フイルム株式会社
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CuInSe2 系薄膜太陽電池およびその製法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-139893
出願人:同和鉱業株式会社
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太陽電池及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-017220
出願人:松下電器産業株式会社
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太陽電池
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-168694
出願人:松下電器産業株式会社
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太陽電池
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-162543
出願人:松下電器産業株式会社
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薄膜太陽電池
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-331442
出願人:松下電器産業株式会社
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薄膜太陽電池
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-325801
出願人:松下電器産業株式会社
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引用文献:
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