特許
J-GLOBAL ID：200903007133060693
カーボン系冷陰極の気相合成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北村 欣一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-264978
公開番号（公開出願番号）：特開平10-112257
出願日： 1996年10月07日
公開日（公表日）： 1998年04月28日
要約：
【要約】【課題】 核発生密度を上げるための機械的な傷付け処理を不要にし、さらに、バイアスを印加することなしに高速で(核発生密度が高い)ヘテロエピタキシャル成長した柱状カーボン系冷陰極を得ること。【解決手段】 カーボン系冷陰極の気相合成法において、基板陰極表面に炭素イオン又は炭素クラスターイオンをイオン注入し、かくして形成される核発生サイトを核として柱状カーボン系冷陰極を気相合成する。
請求項（抜粋）：
カーボン系冷陰極の気相合成方法において、基板陰極表面に炭素イオン又は炭素クラスターイオンをイオン注入し、かくして形成される核発生サイトを核として柱状カーボン系冷陰極を気相合成することを特徴とするカーボン系冷陰極の気相合成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01J 9/02 B
, H01J 1/30 F
