発光ダイオードの構造及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：竹本松司 , 杉山秀雄 , 湯田浩一 , 魚住高博 , 手島直彦 , 白石光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-283935
公開番号（公開出願番号）：特開2009-111266
出願日： 2007年10月31日
公開日（公表日）： 2009年05月21日
要約：

【課題】外部量子効率と内部量子効率を共に高めた発光ダイオード構造を提供する。【解決手段】基板を溶液内に置いて反応させ、その表面に化学反応層を形成し、その後、基板をエッチングし、基板表面に複数の凹部と上方に化学反応層を具えた凸部を形成し、更に該化学反応層を除去し、凹部と凸部を具えた不規則幾何形状を該基板表面に形成し、最後に該基板表面に半導体発光構造をエピタキシャル成長させる。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

発光ダイオードの製造方法において、基板(100)を提供する工程、該基板(100)を第1溶液内に置き反応させて、その表面に化学反応層(110)を形成する工程、該化学反応層(110)をマスクとして、該基板(100)に対して選択性エッチングを行い該基板(100)の表面の該化学反応層(110)のない部分の複数の凹部(120)と、上方に該化学反応層(110)を有する複数の凸部(130)を形成する工程、更に該基板(100)を第2溶液内に置いてエッチングし、該化学反応層(110)を除去し、これら凹部(120)と凸部(130)の不規則幾何形状を該基板(100)表面に形成する工程、その後、該基板(100)の表面をクリーニングした後、該基板(100)の表面に半導体発光構造(200)を形成し、且つ横方向エピタキシャル成長技術を利用して該半導体発光構造(200)に該凹部(120)を充填させて孔を無くす工程、を包含したことを特徴とする、発光ダイオードの製造方法。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 C

Fターム (12件)：

5F041AA03 , 5F041AA40 , 5F041AA42 , 5F041CA04 , 5F041CA12 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA74 , 5F041CA75 , 5F041CA91 , 5F041CB15 , 5F041CB36

引用特許：

出願人引用 (1件)

米国特許第6,870,193号明細書

審査官引用 (4件)

半導体素子用単結晶サファイア基板とその製造方法及び半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-202737 出願人：京セラ株式会社
窒化物系化合物半導体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-117613 出願人：坂井田敏昭
単結晶サファイア基板とその製造方法及び半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-218384 出願人：京セラ株式会社

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