特許
J-GLOBAL ID:200903007277329778

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 河野 登夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-174655
公開番号(公開出願番号):特開平11-026187
出願日: 1997年06月30日
公開日(公表日): 1999年01月29日
要約:
【要約】【課題】 薄いマイクロ波導入板を用いても破損しないプラズマ装置及びプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】 反応容器10の上側にマイクロ波導入容器30を連結しており、マイクロ波導入容器30内には誘電体線路20及び第1のマイクロ波導入板12が互いに間隙を有して対向配置されている。第1のマイクロ波導入板12はその下面を、反応容器10の内側で形成される反応室11に臨ませて配しており、反応室11を封止している。反応容器10には容器内に反応ガスを供給するための第1の供給口15が開設されている。
請求項(抜粋):
導波管に連結されたマイクロ波導入容器とこれに連結された反応容器との間に、マイクロ波の透過可能な第1の封止板を配して前記反応室を封止し、マイクロ波が前記導波管からマイクロ波導入容器を経て前記反応室内に導入され、プラズマを発生せしめるプラズマ処理装置において、前記マイクロ波導入容器を前記導波管側で封止するための、マイクロ波の透過可能な第2の封止板を備え、前記マイクロ波導入容器は排気口を設けてあることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (8件):
H05H 1/46 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065 ,  H01P 1/08 ,  H01P 3/16 ,  H01P 5/08
FI (8件):
H05H 1/46 B ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 D ,  H01P 1/08 ,  H01P 3/16 ,  H01P 5/08 K ,  H01L 21/30 572 A ,  H01L 21/302 B
引用特許:
出願人引用 (7件)
全件表示
審査官引用 (9件)
全件表示

前のページに戻る