特許
J-GLOBAL ID:200903007335335201
スパッタ装置
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
國分 孝悦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-124234
公開番号(公開出願番号):特開平8-293469
出願日: 1995年04月25日
公開日(公表日): 1996年11月05日
要約:
【要約】【目的】 シールド部材に堆積したスパッタ膜が剥離し難く、剥離微粉の飛散を有効に防止できるようにする。【構成】 ターゲット1を搭載した電極2とウェーハ3を保持した電極4とをチャンバー5内に対向配置し、両電極2及び4間への電圧の印加によりターゲット1をスパッタリングしてウェーハ3にスパッタ膜を形成する際、ターゲット1の周縁部1a近傍に設けたシールド部材20によって、ターゲット1からウェーハ3の方向以外へのスパッタ粒子の飛散を防止する。ターゲット1の周縁部1a上方に延在するシールド部材20の先端部22を一定半径の円弧状に形成し、かつ、ターゲット1の周縁部1a外方を囲繞するシールド部材20の内壁部23を一定半径の円弧状に形成する。
請求項(抜粋):
ターゲットを搭載した電極と基板を保持した電極とをチャンバー内に対向配置し、前記両電極間への電圧の印加により前記ターゲットをスパッタリングして前記基板にスパッタ膜を形成するように構成し、前記ターゲットから前記基板の方向以外へのスパッタ粒子の飛散を防止するシールド部材を前記ターゲットの周縁部近傍に設けたスパッタ装置において、前記ターゲットの周縁部上方に延在する前記シールド部材の先端部を一定半径の円弧状に形成したことを特徴とするスパッタ装置。
引用特許:
出願人引用 (7件)
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半導体製造装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-238433
出願人:富士通株式会社
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特開平4-013868
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特開平3-013564
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特開平4-188725
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スパッタ装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-215963
出願人:株式会社東芝
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スパッタリング方法及びその装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-080666
出願人:株式会社日立製作所
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スパッタ装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-269346
出願人:株式会社日立製作所, 日立東京エレクトロニクス株式会社
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審査官引用 (4件)
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半導体製造装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-238433
出願人:富士通株式会社
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特開平4-013868
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特開平3-013564
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