特許
J-GLOBAL ID：200903007418064951

水素分離膜の製造法

発明者：
難波 竹巳

難波 竹巳 について

, 
水田 裕賢

水田 裕賢 について

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斎藤 知成

斎藤 知成 について


出願人/特許権者：
エヌオーケー株式会社

エヌオーケー株式会社 について


代理人 (1件)： 吉田 俊夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-308954
公開番号（公開出願番号）：特開2003-062438
出願日： 2001年10月04日
公開日（公表日）： 2003年03月04日
要約：
【要約】【課題】 多孔質支持体にPdまたはPd系合金を薄膜状に形成させた水素分離膜であって、水素透過速度および水素選択性の点で満足されるものの製造法を提供する。【解決手段】 反応器内のPd源物質またはPd系合金源物質設置面の上方にそれと平行になるように多孔質支持体を反応器内に配置し、Pd源物質またはPd系合金源物質と多孔質支持体とがそれぞれ独立した加熱手段によって加熱され、多孔質支持体の一定の製膜範囲にPdまたはPd系合金を薄膜状に形成させる。Pd源物質として酢酸パラジウムを用いた場合には、多孔質支持体の加熱温度を200〜300°Cに設定すると、水素選択透過性にすぐれた水素分離膜を得ることができる。
請求項（抜粋）：
反応器内のPd源物質またはPd系合金源物質設置面の上方にそれと平行になるように多孔質支持体を反応器内に配置し、Pd源物質またはPd系合金源物質と多孔質支持体とがそれぞれ独立した加熱手段によって加熱され、多孔質支持体の一定の製膜範囲にPdまたはPd系合金を薄膜状に形成させることを特徴とする水素分離膜の製造法。
IPC (5件)：
B01D 71/02 500 ,  B01D 69/06 ,  B01D 69/08 ,  B01D 69/10 ,  C01B 3/56
FI (5件)：
B01D 71/02 500 ,  B01D 69/06 ,  B01D 69/08 ,  B01D 69/10 ,  C01B 3/56 Z
Fターム (22件)：
4D006GA41 ,  4D006MA01 ,  4D006MA03 ,  4D006MA07 ,  4D006MA09 ,  4D006MA31 ,  4D006MB03 ,  4D006MB04 ,  4D006MC02X ,  4D006MC03X ,  4D006NA39 ,  4D006NA45 ,  4D006NA46 ,  4D006NA47 ,  4D006NA62 ,  4D006PA01 ,  4D006PB66 ,  4G040FA06 ,  4G040FB09 ,  4G040FC01 ,  4G040FD06 ,  4G040FE01
引用特許：
審査官引用 (4件)
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