レジストパターンの形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-014216
公開番号（公開出願番号）：特開平7-219239
出願日： 1994年02月08日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：

【要約】【目的】化学増幅系ポジ型レジストにおいて、レジスト表面層の現像液に対する難溶化層を除去する簡便な方法を提供する。【構成】レジスト層22のレジスト表面の酸の不足による現像液に対する難溶化層25を、第二のエネルギ線27の照射によって、表面層に新たに酸を発生させ、レジストの表面層に酸補給部28を形成し、現像液に対して易溶化させる。それにより、表面難溶化層の影響のない形成パターン26を得る。

請求項（抜粋）：

エネルギ線を用いて半導体基板上にパターンを形成するレジスト処理工程において、酸触媒反応を利用した化学増幅系ポジ型のレジストを前記半導体基板上に塗布する工程と、前記レジスト上に所定のパターンに従い、第一のエネルギ線を照射する工程と、前記第一のエネルギ線と異なる第二のエネルギ線を照射する工程により前記レジストの表面層に新たに酸を発生させる工程と、レジスト反応を促進させる熱処理工程と、現像工程とからなることを特徴とするパターン形成方法。

IPC (2件)：

G03F 7/38 511 , H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/30 502 A , H01L 21/30 571

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開平3-142918
特開平4-363014
特開昭63-316851

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