特許

J-GLOBAL ID：200903049516606511

磁気抵抗効果素子およびその製造装置並びに磁気メモリ装置

発明者： 別所 和宏 ,  細見 政功 ,  大場 和博 ,  水口 徹也 ,  山元 哲也 ,  鹿野 博司
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-366345
公開番号（公開出願番号）：特開2003-168833
出願日： 2001年11月30日
公開日（公表日）： 2003年06月13日
要約：

【要約】【課題】 磁気抵抗効果型の記憶素子において、多層膜構造中においても良好な特性が得られるようにする。【解決手段】 二つの強磁性体層24,26とこれらの間に挟まれる非磁性体層とを含む多層膜構造の磁気抵抗効果素子において、強磁性体層24,26のうちの少なくとも一方を、結晶粒31および結晶粒界32の集合体からなるものとする。そして、その結晶粒界32に拡散物質との結合性を持たせ、強磁性体層24,26の隣接層から拡散物質の拡散があっても、拡散物質を結晶粒界32と優先的に結合させる。

請求項（抜粋）：

二つの強磁性体層とこれらの間に挟まれる非磁性体層とを含む多層膜構造の磁気抵抗効果素子において、前記強磁性体層のうちの少なくとも一方は、結晶粒および結晶粒界の集合体からなるものであり、前記結晶粒界は、当該結晶粒界の属する強磁性体層の隣接層からの拡散物質との結合性を有したものであることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (8件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/14 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/32 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/12

FI (8件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/14 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/32 ,  H01L 43/12 ,  H01L 27/10 447 ,  G01R 33/06 R

Fターム (14件)：

2G017AA01 ,  2G017AD55 ,  2G017AD65 ,  5D034BA03 ,  5D034BA15 ,  5D034DA07 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049BA06 ,  5E049CB02 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 磁気素子とそれを用いた磁気ヘッドおよび磁気記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-039342   出願人：株式会社東芝
• 磁気抵抗効果多層膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-172590   出願人：アルプス電気株式会社
• 磁気薄膜メモリ、磁気薄膜メモリの読出し方法、及び磁気薄膜メモリの書込み方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-302354   出願人：キヤノン株式会社
• 磁気抵抗効果素子およびその製造方法並びに磁気メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-358643   出願人：ソニー株式会社