特許
J-GLOBAL ID：200903042267094640

磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置

発明者：
細見 政功

細見 政功 について

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水口 徹也

水口 徹也 について

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大場 和博

大場 和博 について

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別所 和宏

別所 和宏 について

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山元 哲也

山元 哲也 について

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鹿野 博司

鹿野 博司 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 佐藤 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-106926
公開番号（公開出願番号）：特開2003-304010
出願日： 2002年04月09日
公開日（公表日）： 2003年10月24日
要約：
【要約】【課題】 これまでにない新規な材料を強磁性層に適用することにより、書き込み特性及び読み出し特性を同時に向上する。【解決手段】 一対の強磁性層が中間層を介して対向されてなり、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成の磁気抵抗効果素子において、上記強磁性層のうち少なくとも一方は、Fe、Co及びBを含有する強磁性材料を含む。上記強磁性材料は、FeaCobNicBd(式中、a、b、c及びdは原子%を表す。また、5≦a≦45、35≦b≦85、0<c≦35、10≦d≦30である。また、a+b+c+d=100である。)を含有することが好ましい。
請求項（抜粋）：
一対の強磁性層が中間層を介して対向されてなり、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成の磁気抵抗効果素子において、上記強磁性層のうち少なくとも一方は、Fe、Co及びBを含有する強磁性材料を含むことを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (6件)：
H01L 43/08 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/187 ,  H01F 10/30 ,  H01F 10/32 ,  H01L 27/105
FI (7件)：
H01L 43/08 M ,  H01L 43/08 Z ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/187 ,  H01F 10/30 ,  H01F 10/32 ,  H01L 27/10 447
Fターム (19件)：
5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AA09 ,  5E049AC00 ,  5E049AC01 ,  5E049AC05 ,  5E049CB02 ,  5E049DB12 ,  5E049GC01 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA11 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA56 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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