特許

J-GLOBAL ID：200903042267094640

磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置

発明者： 細見 政功 ,  水口 徹也 ,  大場 和博 ,  別所 和宏 ,  山元 哲也 ,  鹿野 博司
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-106926
公開番号（公開出願番号）：特開2003-304010
出願日： 2002年04月09日
公開日（公表日）： 2003年10月24日
要約：

【要約】【課題】 これまでにない新規な材料を強磁性層に適用することにより、書き込み特性及び読み出し特性を同時に向上する。【解決手段】 一対の強磁性層が中間層を介して対向されてなり、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成の磁気抵抗効果素子において、上記強磁性層のうち少なくとも一方は、Fe、Co及びBを含有する強磁性材料を含む。上記強磁性材料は、FeaCobNicBd(式中、a、b、c及びdは原子%を表す。また、5≦a≦45、35≦b≦85、0<c≦35、10≦d≦30である。また、a+b+c+d=100である。)を含有することが好ましい。

請求項（抜粋）：

一対の強磁性層が中間層を介して対向されてなり、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成の磁気抵抗効果素子において、上記強磁性層のうち少なくとも一方は、Fe、Co及びBを含有する強磁性材料を含むことを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (6件)：

H01L 43/08 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/187 ,  H01F 10/30 ,  H01F 10/32 ,  H01L 27/105

FI (7件)：

H01L 43/08 M ,  H01L 43/08 Z ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/187 ,  H01F 10/30 ,  H01F 10/32 ,  H01L 27/10 447

Fターム (19件)：

5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AA09 ,  5E049AC00 ,  5E049AC01 ,  5E049AC05 ,  5E049CB02 ,  5E049DB12 ,  5E049GC01 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA11 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA56 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19

引用特許：

審査官引用 (7件)

• 磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、および磁気記録再生装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-025994   出願人：株式会社東芝
• 磁性薄膜メモリ素子およびその記録再生方法、画像録画再生装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-096118   出願人：キヤノン株式会社
• 磁性薄膜メモリおよびその記録再生方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-359633   出願人：キヤノン株式会社
• 磁気抵抗効果素子,磁気抵抗効果センサ及びそれらを利用した装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-264464   出願人：日本電気株式会社
• 磁気抵抗センサ及び磁気抵抗ヘッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-286327   出願人：富士通株式会社
• 磁気センサ及び磁気ヘッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-243187   出願人：富士通株式会社
• 磁気抵抗効果素子および磁気抵抗効果記憶素子およびデジタル信号を記憶させる方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-182152   出願人：松下電器産業株式会社