半導体レーザ素子およびそれを用いた光ディスク装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-350030
公開番号（公開出願番号）：特開2003-152281
出願日： 2001年11月15日
公開日（公表日）： 2003年05月23日
要約：

【要約】【課題】 780nm帯InGaAsP井戸層半導体レーザ素子の低閾値電流化を図る。【解決手段】井戸層をP組成が0.55よりも小さい0.51のInGaAsPで構成して、InGaAsPを成長時にスピノーダル分解が発生しないようにする。また、井戸層の歪を1%よりも小さく且つ0.25%よりも大きい0.65%の圧縮歪として、閾値電流を低減する。こうして、活性領域15の劣化を防ぐと共に閾値電流を下げることによって、100mW以上の高出力時でも安定して長時間動作が可能な波長780nm帯InGaAsP井戸層半導体レーザ素子を得る。さらに、活性領域15内の障壁層に-1.2%の引張歪を導入して井戸層の圧縮歪による応力を補償することによって、高出力時の信頼性をさらに高くする。

請求項（抜粋）：

GaAs基板上に、少なくとも、第1導電型クラッド層と、第1ガイド層と、圧縮歪が導入された井戸層を含む歪量子井戸活性領域と、第2ガイド層と、第2導電型クラッド層が順次形成された発振波長が0.76μmより大きく且つ0.8μmより小さい半導体レーザ素子において、上記井戸層を、InGaAs<SB>1-x</SB>P<SB>x</SB>で構成すると共に、上記井戸層の構成材料の格子定数をa(well)とし、上記GaAs基板の格子定数をa(GaAs)とした場合に、x<0.55{a(well)-a(GaAs)}/a(GaAs)×100<1.0(%)の関係が成立することを特徴とする半導体レーザ素子。

Fターム (14件)：

5F073AA04 , 5F073AA11 , 5F073AA21 , 5F073AA45 , 5F073AA53 , 5F073AA74 , 5F073BA05 , 5F073CA13 , 5F073CB02 , 5F073DA05 , 5F073DA23 , 5F073EA23 , 5F073EA24 , 5F073EA28

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-257881 出願人：シャープ株式会社
歪量子井戸の構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-209982 出願人：三菱電機株式会社
半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-348527 出願人：富士写真フイルム株式会社

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