特許
J-GLOBAL ID：200903007538498890

半導体切断装置および半導体切断方法

発明者：
安藤 修治

安藤 修治 について

, 
内山 茂行

内山 茂行 について


出願人/特許権者：
アピックヤマダ株式会社

アピックヤマダ株式会社 について


代理人 (2件)： 藤元 亮輔 ,  水本 敦也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-160321
公開番号（公開出願番号）：特開2007-329358
出願日： 2006年06月08日
公開日（公表日）： 2007年12月20日
要約：
【課題】半導体基板からの異形線部を含む半導体装置の切り出しを、高速で行うことができ、かつ良質な切断面を確保できる半導体切断システムを提供する。【解決手段】半導体切断システムは、半導体基板120を、第1の部分および該第1の部分とは異なる形状を有する第2の部分を有する予定分割線に沿って切断することにより半導体装置135′を切り出す。半導体切断システムは、該半導体基板を第1の部分に沿って切削ブレードにより切断するブレード切断部200と、該半導体基板を第2の部分に沿ってレーザ光により切断するレーザ切断部100とを有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板をレーザ光により切断する半導体切断装置であって、 レーザ光を出力し、レーザ光を走査可能なレーザ発振手段と、 前記半導体基板の予定切断線に沿ってレーザ光を走査するように前記レーザ発振手段を制御する制御手段とを有し、 前記制御手段は、前記レーザ発振手段に、同一の前記予定切断線に対して複数回のレーザ光の走査を行わせることを特徴とする半導体切断装置。
IPC (3件)：
H01L 21/301 ,  B23K 26/38 ,  B23K 26/40
FI (3件)：
H01L21/78 B ,  B23K26/38 320 ,  B23K26/40
Fターム (6件)：
4E068AE00 ,  4E068CA01 ,  4E068CA09 ,  4E068CA13 ,  4E068CE03 ,  4E068DA10
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (3件)

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