特許

J-GLOBAL ID：200903007566849607

化学機械研磨用水系分散体及び化学機械研磨方法

発明者： 金野 智久 ,  服部 雅幸 ,  川橋 信夫
出願人/特許権者： JSR株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-116307
公開番号（公開出願番号）：特開2005-302973
出願日： 2004年04月12日
公開日（公表日）： 2005年10月27日
要約：

【課題】バリアメタル層及びキャップ層を効率よく研磨除去することができるとともに、下層に存在する誘電率の低い絶縁膜材料に対するダメージが低減された化学機械研磨工程を行うことができる化学機械研磨用水系分散体及び当該化学機械研磨用水系分散体を使用した化学機械研磨方法を提供すること。【解決手段】化学機械研磨用水系分散体は、(A1)比表面積が10m2/g以上160m2/g未満であり、平均二次粒子径が170〜250nmである第一のヒュームド法シリカ、及び(A2)比表面積が160m2/g以上であり、平均2次粒子径が50nm以上170nm未満である第二のヒュームド法シリカが配合されていることを特徴とする。 化学機械研磨方法は、上記の化学機械研磨用水系分散体を用いて、金属層、バリアメタル層、及び特定の絶縁層を有する被研磨物を化学機械研磨することを特徴とする。【選択図】 なし。

請求項（抜粋）：

(A1)比表面積が10m2/g以上160m2/g未満であり、平均二次粒子径が170〜250nmである第一のヒュームド法シリカ 及び(A2)比表面積が160m2/g以上であり、平均2次粒子径が50nm以上170nm未満である第二のヒュームド法シリカが配合されていることを特徴とする、化学機械研磨用水系分散体。

IPC (3件)：

H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

FI (4件)：

H01L21/304 622D ,  B24B37/00 H ,  C09K3/14 550D ,  C09K3/14 550Z

Fターム (7件)：

3C058AA07 ,  3C058CB01 ,  3C058CB02 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-042612   出願人：株式会社東芝
• 金属配線の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-268111   出願人：日本電気株式会社
• 導体用研磨液及びこれを用いた研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-063905   出願人：日立化成工業株式会社

審査官引用 (4件)

• 研磨液組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-345113   出願人：花王株式会社
• ガラス製ハードディスク用研磨剤
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-186104   出願人：日産化学工業株式会社
• 化学的機械的研磨用スラリー
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-374485   出願人：日本電気株式会社, 東京磁気印刷株式会社
• 化学機械研磨用水系分散体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-388557   出願人：ジェイエスアール株式会社