金属配線の形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：工藤実 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-268111
公開番号（公開出願番号）：特開2003-077920
出願日： 2001年09月04日
公開日（公表日）： 2003年03月14日
要約：

【要約】【課題】配線間の寄生容量を下げ配線遅延を低減し、配線形成後の層間絶縁膜の表面の平坦性を向上する。【解決手段】半導体基板1上に第1絶縁膜2を形成するステップと、第1絶縁膜2上に第2絶縁膜3を形成するステップと、第2絶縁膜3を貫通して第1絶縁膜2内に延びる配線溝6を形成するステップと、配線溝6の内面を覆い、かつ第2絶縁膜3を覆うように第1導電膜4を形成するステップと、第1導電膜4を覆うように第2導電膜5を形成するステップと、第2絶縁膜3の表面が露出するまで、第1導電膜4と第2導電膜5を除去するステップと、第1絶縁膜2の表面が露出するまで、第1導電膜4と第2導電膜5と第2絶縁膜3をCMPにより除去するステップとを具備する金属配線の形成方法を実施する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に第1絶縁膜を形成する第1形成ステップと、前記第1絶縁膜上に第2絶縁膜を形成する第2形成ステップと、前記第2絶縁膜を貫通して前記第1絶縁膜内に延びる配線溝を形成する第3形成ステップと、前記配線溝を満たし、かつ前記第2絶縁膜を覆うように導電膜を形成する第4形成ステップと、前記第1絶縁膜の表面が露出するまで、前記導電膜と前記第2絶縁膜をCMPにより除去する第1除去ステップと、を具備する金属配線の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/304 621 , H01L 21/304 622 , H01L 21/304

FI (4件)：

H01L 21/304 621 D , H01L 21/304 622 S , H01L 21/304 622 X , H01L 21/88 K

Fターム (32件)：

5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH17 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033MM01 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP19 , 5F033PP26 , 5F033QQ28 , 5F033QQ48 , 5F033QQ49 , 5F033QQ50 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR12 , 5F033RR21 , 5F033RR22 , 5F033RR24 , 5F033SS11 , 5F033SS21 , 5F033WW01 , 5F033WW09 , 5F033XX01 , 5F033XX24 , 5F033XX34

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-177557 出願人：松下電子工業株式会社
銅メタラジー用バリアまたはライナの化学機械平坦化
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-131737 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ-ション
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-019015 出願人：日本電気株式会社

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