半導体装置の製造方法、基板処理装置および基板処理システム

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-017038
公開番号（公開出願番号）：特開2003-031565
出願日： 2002年01月25日
公開日（公表日）： 2003年01月31日
要約：

【要約】【課題】被処理基板の前面にわたり一様なラジカル基板処理を行うことが可能な基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理装置を、被処理基板を保持する保持台を備えた処理容器と、前記処理容器の第1の端部に設けられた処理ガス導入部と、前記処理容器の、前記保持台を隔てて前記第1の端部に対向する第2の端部に形成された排気口と、前記処理容器中、前記保持台よりも前記第1の端部に寄った側に設けられたラジカル発生源と、前記保持台を回転させる回転機構とにより構成する。

請求項（抜粋）：

被処理基板を保持する保持台を備えた処理容器と、前記処理容器の第1の端部に設けられた処理ガス導入部と、前記処理容器の、前記保持台を隔てて前記第1の端部に対向する第2の端部に形成された排気口と、前記処理容器中、前記保持台よりも前記第1の端部に寄った側に設けられたラジカル発生源と、前記保持台を回転させる回転機構とを備えたことを特徴とする基板処理装置。

IPC (5件)：

H01L 21/31 , C23C 16/48 , C23C 16/50 , H01L 21/316 , H01L 21/318

FI (6件)：

H01L 21/31 C , C23C 16/48 , C23C 16/50 , H01L 21/316 A , H01L 21/318 A , H01L 21/318 C

Fターム (60件)：

4K030BA17 , 4K030BA22 , 4K030BA29 , 4K030BA42 , 4K030BA43 , 4K030CA04 , 4K030DA02 , 4K030EA06 , 4K030EA11 , 4K030FA01 , 4K030FA08 , 4K030GA05 , 4K030KA08 , 4K030KA30 , 4K030KA37 , 4K030LA15 , 5F045AA06 , 5F045AA08 , 5F045AA16 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AB34 , 5F045AC00 , 5F045AC11 , 5F045AD08 , 5F045AE21 , 5F045AF03 , 5F045BB02 , 5F045CA05 , 5F045CB02 , 5F045DP03 , 5F045DP04 , 5F045EC03 , 5F045EH02 , 5F045EH11 , 5F045EK05 , 5F045EK12 , 5F045EK19 , 5F045EM10 , 5F045EN04 , 5F045GB11 , 5F045HA24 , 5F058BA06 , 5F058BA11 , 5F058BC02 , 5F058BC08 , 5F058BC11 , 5F058BD01 , 5F058BF07 , 5F058BF40 , 5F058BF55 , 5F058BF60 , 5F058BF72 , 5F058BF78 , 5F058BG01 , 5F058BG02 , 5F058BG03 , 5F058BG04 , 5F058BJ01 , 5F058BJ04

引用特許：

審査官引用 (6件)

成膜方法及び成膜装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-317865 出願人：ソニー株式会社
III-V族化合物半導体気相エピタキシャル成長方法及び成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-195693 出願人：日立電線株式会社
特開平4-274317

全件表示

前のページに戻る