特許
J-GLOBAL ID：200903095042511494
III-V族化合物半導体気相エピタキシャル成長方法及び成長装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-195693
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031060
出願日： 1998年07月10日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：
【要約】【課題】V/III 比を高くする(AsH3 供給量を多くする)ことなく、AlGaAs層中の不純物濃度を減少することができるIII -V族化合物半導体の気相エピタキシャル成長方法を提供することにある。【解決手段】反応容器1にIII 族原料ガスとV族原料ガスを個別に導入する供給路8、9を設けると共に、そのV族原料ガスの供給路8の途中に、成長領域でのV族原料ガスの分解を促進するヒータ10を設け、予め熱を加えたV族原料ガスをIII 族原料ガスとは別に供給し、成長領域でのV族原料の分解を促進させてV族ラジカルを豊富にし、このV族ラジカルに、GaAs基板5に到達する有機金属化合物の金属と炭素又は酸素との結合を切る作用を営ませる。これにより、成長時のV/III 比を高くすることなく、AlGaAs成長層に取り込まれる不純物濃度を減少させる。
請求項（抜粋）：
反応容器内に設置した結晶成長用基板を加熱し、反応容器内にIII 族原料ガスとV族原料ガスを供給して結晶成長用基板上に化合物半導体結晶を気相エピタキシャル成長させるMOVPE法を用いたIII -V族化合物半導体気相エピタキシャル成長方法において、前記反応容器内に、予め熱又はプラズマ等によるエネルギーを加えたV族原料ガスを、III 族原料ガスとは別に供給し、成長領域でのV族原料の分解を促進させることを特徴とするIII -V族化合物半導体気相エピタキシャル成長方法。
Fターム (18件)：
5F045AA05
, 5F045AB17
, 5F045AC01
, 5F045AC08
, 5F045AD11
, 5F045AF04
, 5F045CA06
, 5F045CA07
, 5F045CA10
, 5F045CA12
, 5F045DP03
, 5F045DP04
, 5F045DQ11
, 5F045EE07
, 5F045EH18
, 5F045EK03
, 5F045EM09
, 5F045EM10
