特許
J-GLOBAL ID：200903007721570185
半導体装置および半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
永井 冬紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-335861
公開番号（公開出願番号）：特開平11-177107
出願日： 1997年12月05日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：
【要約】【課題】 大きな強度を発揮することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板1上に犠牲層11を形成する犠牲層形成工程と、犠牲層11を被覆する窒化膜4を形成するメンブレン形成工程と、窒化膜4を貫通する開口40を形成するエッチング孔形成工程と、開口40を介して犠牲層11の一部を酸化して酸化層5を形成する酸化工程と、開口40と連通し酸化層5を貫通して少なくとも犠牲層11に到達するエッチング孔12を形成するエッチング孔形成工程と、エッチング孔12を介して犠牲層11および半導体基板1をエッチングし窒化膜4と半導体基板1との間に空間1Aを形成する空間形成工程とを備える。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、前記犠牲層を被覆するメンブレンを形成するメンブレン形成工程と、前記メンブレンを貫通する開口を形成する開口形成工程と、前記開口を介して前記犠牲層の一部を酸化して酸化層を形成する酸化工程と、前記開口と連通し前記酸化層を貫通して少なくとも前記犠牲層に到達するエッチング孔を形成するエッチング孔形成工程と、前記エッチング孔を介して前記犠牲層および前記半導体基板をエッチングし前記メンブレンと前記半導体基板との間に空間を形成する空間形成工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 31/02
, H01L 31/0264
H01L 31/02 A
, H01L 31/08 N
