特許
J-GLOBAL ID：200903007745373062
半導体レーザ素子及びガス検知装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
西村 教光
, 鈴木 典行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-077373
公開番号（公開出願番号）：特開2006-261424
出願日： 2005年03月17日
公開日（公表日）： 2006年09月28日
要約：
【課題】 TDLASでガス検知を行う際に、簡易的な構成で十分な可変波長幅で波長を制御する。【解決手段】 波長可変半導体レーザ吸収分光法に使用される半導体レーザ素子1は、半導体基板10、活性層12、クラッド層13が一対の電極17,18間に積層形成され、光導波路が活性領域と該活性領域に連続する位相調整領域とDBR領域とからなり、少なくとも位相調整領域の全体または一部を加熱するようにクラッド層13の上面に絶縁層19を介して薄膜抵抗からなる加熱手段20が配設される。この加熱手段20と一対の電極17,18には単一の電源2から電力が供給される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板(10)、活性層(12)、クラッド層(13)を少なくとも備えた半導体層が一対の電極(17,18)間に積層形成され、光導波路が活性領域と該活性領域に連続する位相調整領域とDBR領域とからなり、波長可変半導体レーザ吸収分光法に使用される半導体レーザ素子(1)において、
少なくとも前記位相調整領域の全体または一部を加熱するように前記クラッド層(13)の上面に絶縁層(19)を介して配設された薄膜抵抗からなる加熱手段(20)を備え、
前記加熱手段および前記一対の電極には単一の電源から電力が供給されることを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (13件)：
5F173AA23
, 5F173AA43
, 5F173AA53
, 5F173AB04
, 5F173AD30
, 5F173AH30
, 5F173SA06
, 5F173SA20
, 5F173SA26
, 5F173SC10
, 5F173SF33
, 5F173SF47
, 5F173SG21
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (3件)
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