特許
J-GLOBAL ID：200903031088760687

分布帰還型半導体レーザ

発明者：
森 浩

森 浩 について

, 
菊川 知之

菊川 知之 について

, 
高橋 良夫

高橋 良夫 について

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藤田 幹明

藤田 幹明 について


出願人/特許権者：
アンリツ株式会社

アンリツ株式会社 について


代理人 (6件)： 鈴江 武彦 ,  村松 貞男 ,  坪井 淳 ,  橋本 良郎 ,  河野 哲 ,  中村 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-188531
公開番号（公開出願番号）：特開2004-031827
出願日： 2002年06月27日
公開日（公表日）： 2004年01月29日
要約：
【課題】出力光強度を上昇し、かつ出力波長精度を向上する。【解決手段】半導体基板11と、この半導体基板の上方に備えられ、光23の出射方向に互いに離間して配設された第1、第2の回折格子層12a、12bと、この第1、第2の回折格子層及び結合層の上方に配置された活性層18と、この活性層の上方に配置されたクラッド層19とを備えた分布帰還型半導体レーザにおいて、第1の回折格子層を構成する第1の回折格子16aと第2の回折格子層を構成する第2の回折格子16bとは同一格子間隔dを有し、第1の回折格子と第2の回折格子との間で空間的に格子配列の位相がシフトΔdしている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板(11)と、この半導体基板の上方に備えられ、光(23)の出射方向に互いに離間して配設された第1、第2の回折格子層(12a、12b)と、この第1、第2の回折格子層及び結合層の上方に配置された活性層(18)と、この活性層の上方に配置されたクラッド層(19)とを備えた分布帰還型半導体レーザにおいて、 前記第1の回折格子層を構成する第1の回折格子(16a)と前記第2の回折格子層を構成する第2の回折格子(16b)とは同一格子間隔(d)を有し、第1の回折格子と第2の回折格子との間で空間的に格子配列の位相がシフトしていることを特徴とする分布帰還型半導体レーザ。
IPC (1件)：
H01S5/12
FI (1件)：
H01S5/12
Fターム (14件)：
5F073AA46 ,  5F073AA64 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073BA01 ,  5F073BA09 ,  5F073CA12 ,  5F073CB02 ,  5F073DA23 ,  5F073DA32 ,  5F073DA33 ,  5F073DA35 ,  5F073EA03 ,  5F073EA29
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (4件)
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