特許
J-GLOBAL ID：200903007808816946

半導体装置及びその製造方法

発明者：
久都内 知恵

久都内 知恵 について

, 
三河 巧

三河 巧 について

, 
十代 勇治

十代 勇治 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (10件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-226395
公開番号（公開出願番号）：特開2005-150688
出願日： 2004年08月03日
公開日（公表日）： 2005年06月09日
要約：
【課題】 積層された導電性バリア層の酸素バリア性を向上させると共に、積層された導電性バリア層に生じる浮きや剥離を防止してコンタクト抵抗の安定化を図る。 【解決手段】 半導体装置は、容量素子21とトランジスタのソース領域又はドレイン領域13とを電気的に接続するコンタクトプラグ15と、該コンタクトプラグ15の上に形成された高融点金属のみの窒化物である窒化チタンからなる導電層16Aと、窒化チタンアルミニウム膜、イリジウム膜及び酸化イリジウム膜の積層膜からなる酸素の拡散を防止する多結晶状の導電性酸素バリア層17とを有している。結晶配向性が低い窒化チタンからなる導電層16Aを導電性酸素バリア膜17の下側に設けたことにより、導電層16Aの直上に形成される導電性酸素バリア膜である窒化チタンアルミニウム膜は緻密な膜構造となるため、酸素の侵入を効果的に防止することができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板の上に形成された下部電極、容量絶縁膜及び上部電極からなる容量素子と、 前記下部電極の下側に形成された高融点金属を含む導電性バリア層と、 前記導電性バリア層の下側に形成された高融点金属のみの窒化物からなる導電層とを備えていることを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
H01L27/105
FI (1件)：
H01L27/10 444B
Fターム (17件)：
5F083FR02 ,  5F083JA06 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083MA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083NA01 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 誘電体薄膜素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-242297   出願人：株式会社東芝
審査官引用 (4件)
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