トレンチ埋め込み用組成物及びトレンチ埋め込み方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-129404
公開番号（公開出願番号）：特開2006-310448
出願日： 2005年04月27日
公開日（公表日）： 2006年11月09日
要約：

【課題】基体に形成されたトレンチ内に酸化シリコンを埋め込むために使用するのに好適なトレンチ埋め込み用組成物及びトレンチ埋め込み方法を提供すること【解決手段】トレンチ埋め込み用組成物は、(A)酸化シリコン粒子、(B)シリコン原子含有バインダー成分及び(C)溶媒を含有する。トレンチ埋め込み方法は、トレンチを有する基体上に、上記のトレンチ埋め込み用組成物を塗布し、次いでこれを加熱及び/又は光照射することを特徴とする。【選択図】なし。

請求項（抜粋）：

(A)酸化シリコン粒子、(B)シリコン原子含有バインダー成分及び(C)溶媒を含有することを特徴とする、トレンチ埋め込み用組成物。

IPC (2件)：

H01L 21/316 , H01L 21/76

FI (2件)：

H01L21/316 G , H01L21/76 L

Fターム (11件)：

5F032AA35 , 5F032AA45 , 5F032AA49 , 5F032CA17 , 5F032DA10 , 5F032DA74 , 5F058BC02 , 5F058BC05 , 5F058BF46 , 5F058BH01 , 5F058BJ06

引用特許：

出願人引用 (2件)

トレンチ溝の埋設方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-167357 出願人：トリコンテクノロジーズリミティド
トレンチ・アイソレーション構造の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-116427 出願人：日本電気株式会社

審査官引用 (5件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-114566 出願人：株式会社東芝
層間絶縁用薄膜
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-234312 出願人：旭化成株式会社
特開平1-281747

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