特許
J-GLOBAL ID：200903061892763385
層間絶縁用薄膜
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
武井 英夫
, 清水 猛
, 伊藤 穣
, 鳴井 義夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-234312
公開番号（公開出願番号）：特開2004-079592
出願日： 2002年08月12日
公開日（公表日）： 2004年03月11日
要約：
【課題】安定な低誘電率でブレークダウン電圧が高く、高機械的強度を有する層間絶縁用の多孔性シリカゼオライト薄膜を提供する。【解決手段】Si(OR2)4で表される4官能性アルコキシシランを、有機アミンの存在下にて重縮合反応させて得られるシリカゼオライト微粒子と、少なくとも1個の一価の有機基を有するアルコキシシランを主原料として得られるシリカ前駆体とのモル比が特定範囲に制御され、かつ有機溶媒を含む組成物中の金属不純物量も特定範囲以下に制御されたことを特徴とする層間絶縁膜製造用塗布組成物、およびシリカ結晶化度が特定の範囲であり、かつ膜中のSi元素に対する1価の有機基の含有量が特定の範囲にあることを特徴とする多孔性シリカゼオライト薄膜。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
(A)下記一般式(1)で表される、n=0のアルコキシシランから選ばれる少なくとも1種のアルコキシシランから得られる、粒子径が1nm以上100nm以下のシリカゼオライト粒子と、
(B)下記一般式(1)及び/又は一般式(2)で表されるアルコキシシランおよびその加水分解物、重縮合物から選ばれる少なくとも1種以上の化合物を含有するシリカ前駆体と、
水とを含む組成物であって、かつFe、Na、K、Ti、Cr、Co、Ni、Cu、Zn、W、Biから選ばれる金属の含有量の総和が1ppm以下であることを特徴とする層間絶縁膜製造用塗布組成物。
R1 n (Si)(OR2 )4-n (1)
(式中、R1 、R2 は同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基を表し、nは0〜3の整数である)
R3 m (R4 O)3-m Si-(R7 )p -Si(OR5 )3-q R6 q (2)
(式中、R3 、R4 、R5 およびR6 は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基を示し、mおよびqは、同一でも異なっていてもよく、0〜2の数を示し、R7 は酸素原子又は-(CH2 )r -で表される基を示し、rは1〜6を、pは0または1を示す。)
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/312 C
, H01L21/90 Q
5F033RR21
, 5F033RR25
, 5F033RR29
, 5F033SS21
, 5F033XX24
, 5F058AA10
, 5F058AC03
, 5F058AC10
, 5F058AF02
, 5F058AF04
, 5F058AG01
, 5F058AH02
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (2件)
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